[發明專利]硫系化合物相變材料氧化鈰化學機械拋光液

有效

• 申請號: 200810201175.3
• 申請日: 2008-10-14
• 公開（公告）號: CN101372606A
• 公開（公告）日: 2009-02-25
• 發明（設計）人: 王良詠;宋志棠;劉波;封松林
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02
• 代理公司: 上海光華專利事務所
• 代理人: 余明偉

1.一種用氧化鈰化學機械拋光液拋光硫系化合物相變材料的方法，其特征在于：以拋光液總 重量為基準，所述氧化鈰化學機械拋光液包含0.01-5wt%的氧化劑、0.01-4wt%的表面活性劑、 0.01-3wt%的有機添加劑、0.2-30wt%的氧化鈰拋光顆粒及pH調節劑、水性介質；所述硫系化 合物相變材料為GeSbTe合金，即Ge_xSb_yTe_(1-x-y)薄膜材料，其中0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，且x、 y不同時為0；氧化鈰中鈰為稀土元素，可與主族元素Ge﹑Sb和Te中的孤電子對形成反饋鍵， 在拋光過程中與Ge_xSb_yTe_(1-x-y)薄膜材料產生足夠的化學交聯；所述氧化劑選自鐵氰化鉀、或/ 和雙氧水、或/和過硫酸銨；所述表面活性劑為陰離子型表面活性劑；所述有機添加劑為有機 酸；所述pH調節劑選自硝酸、或/和磷酸、或/和氫氧化鉀、或/和羥乙基乙二氨；所述拋光 液的pH值范圍為1-5。

2.根據權利要求1所述的用氧化鈰化學機械拋光液拋光硫系化合物相變材料的方法，其特征 在于：所述氧化鈰拋光顆粒為CeO₂，其粒徑范圍為10-1500nm。

3.根據權利要求2所述的用氧化鈰化學機械拋光液拋光硫系化合物相變材料的方法，其特征 在于：所述氧化鈰拋光顆粒的粒徑范圍為30-200nm。

4.根據權利要求1所述的用氧化鈰化學機械拋光液拋光硫系化合物相變材料的方法，其特征 在于：所述表面活性劑選自聚氧乙烯硫酸鈉、或/和聚丙烯酸鈉、或/和聚氧乙烯醚磷酸酯。

5.根據權利要求1所述的用氧化鈰化學機械拋光液拋光硫系化合物相變材料的方法，其特征 在于：所述有機添加劑選自乙酸、或/和蟻酸、或/和草酸、或/和檸檬酸、或/和對苯二酸、 或/和水楊酸、或/和脯氨酸、或/和氨基乙酸、或/和丁二酸、或/和酒石酸。

6.根據權利要求1所述的用氧化鈰化學機械拋光液拋光硫系化合物相變材料的方法，其特征 在于：所述拋光液的pH值的范圍為2-4。

7.根據權利要求1所述的用氧化鈰化學機械拋光液拋光硫系化合物相變材料的方法，其特征 在于：所述水性介質為去離子水。

8.根據權利要求1至7任意一項所述的用氧化鈰化學機械拋光液拋光硫系化合物相變材料的 方法，其特征在于：所述氧化劑的含量為1-4wt%。

9.根據權利要求1至7任意一項所述的用氧化鈰化學機械拋光液拋光硫系化合物相變材料的 方法，其特征在于：所述表面活性劑的含量為0.05-2wt%。

10.根據權利要求1至7任意一項所述的用氧化鈰化學機械拋光液拋光硫系化合物相變材料 的方法，其特征在于：所述有機添加劑的含量為0.05-1wt%。

11.根據權利要求1至7任意一項所述的用氧化鈰化學機械拋光液拋光硫系化合物相變材料 的方法，其特征在于：所述氧化鈰拋光顆粒的含量為2-6wt%。