[發(fā)明專利]一種含有納米氧化鋅的低熔點(diǎn)玻璃及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810200749.5 | 申請(qǐng)日: | 2008-09-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101376563A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳培;李勝春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 陳培 |
| 主分類號(hào): | C03C8/24 | 分類號(hào): | C03C8/24 |
| 代理公司: | 上海三和萬(wàn)國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 劉立平;張民華 |
| 地址: | 200237上海*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 含有 納米 氧化鋅 熔點(diǎn) 玻璃 及其 制備 方法 | ||
1.一種含有納米氧化鋅的低熔點(diǎn)玻璃,其特征在于,原料組成按質(zhì)量百分比為,
Bi2O3???????????????????????50%~80%
B2O3????????????????????????5%~40%
ZnO?????????????????????????5%~30%
Al2O3???????????????????????0.1%~10%
SiO2????????????????????????0.1%~10%
MgO?????????????????????????0.1%~10%
CaO?????????????????????????0.1%~10%
CuO?????????????????????????0.1%~10%
所述的Bi2O3、B2O3、ZnO的總的質(zhì)量百分比60%~95%;
所述的SiO2和Al2O3的總的質(zhì)量百分比優(yōu)選為3%~10%;
所述的MgO和CaO的總的質(zhì)量百分比為0.2%~20%;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有納米氧化鋅的低熔點(diǎn)玻璃,其特征在于,所述的Bi2O3、B2O3、ZnO的總的質(zhì)量百分比優(yōu)選為75%~95%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有納米氧化鋅的低熔點(diǎn)玻璃,其特征在于,所述的SiO2和Al2O3的總的質(zhì)量百分比優(yōu)選為3%~10%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有納米氧化鋅的低熔點(diǎn)玻璃,其特征在于,所述的MgO和CaO的總的質(zhì)量百分比優(yōu)選為2%~5%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有納米氧化鋅的低熔點(diǎn)玻璃,其特征在于,所述的Bi2O3優(yōu)選為50%~65%;所述的B2O3優(yōu)選為10%~30%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有納米氧化鋅的低熔點(diǎn)玻璃,其特征在于,所述的ZnO優(yōu)選為5%~15%;所述的Al2O3優(yōu)選為1%~5%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有納米氧化鋅的低熔點(diǎn)玻璃,其特征在于,所述的SiO2優(yōu)選為1%~5%;所述的MgO優(yōu)選為1%~5%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有納米氧化鋅的低熔點(diǎn)玻璃,其特征在于,所述的CaO優(yōu)選為0.1%~3%;所述的CuO優(yōu)選為0.1%~3%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有納米氧化鋅的低熔點(diǎn)玻璃,其特征在于,所述的ZnO的平均粒徑為40nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有納米氧化鋅的低熔點(diǎn)玻璃,其特征在于,包含步驟為,
①將原料進(jìn)行充分混合,其中納米氧化鋅最后加入并混合,制成混合料;
②將坩堝放入溫度為1100℃~1400℃的電爐中,預(yù)熱12~18分鐘;
③將混合料加入石英坩堝中,在1100℃~1400℃的熔制溫度下熔制,保溫5~40分鐘;
④將熔制好的玻璃液倒入水中或壓片后用球磨機(jī)磨成粉末,或者澆鑄成封接時(shí)所需的粉狀、漿狀、棒狀、粉體壓制的坯體狀等;
⑤檢測(cè)、包裝。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陳培,未經(jīng)陳培許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810200749.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種新型鋼管橢圓度檢測(cè)裝置
- 下一篇:土木工程用測(cè)量尺
- 熔點(diǎn)儀
- 異種材料的連接方法、連接裝置及連接結(jié)構(gòu)
- 熔點(diǎn)杯
- 由高熔點(diǎn)金屬合金、高熔點(diǎn)金屬硅化物、高熔點(diǎn)金屬碳化物、高熔點(diǎn)金屬氮化物或高熔點(diǎn)金屬硼化物這些難燒結(jié)物質(zhì)構(gòu)成的靶及其制造方法以及該濺射靶 -背襯板組件及其制造方法
- 高熔點(diǎn)顆粒或纖維和低熔點(diǎn)顆粒混合粉末合金及其制備方法
- 由難燒結(jié)物質(zhì)構(gòu)成的靶及其制造方法以及靶-背襯板組件及其制造方法
- 熔絲元件、熔絲器件、保護(hù)元件、短路元件、切換元件
- 一種低熔點(diǎn)金屬器件的制作方法及太陽(yáng)能電池的制作方法
- 熱塑性布及以此熱塑性布制成的制品
- 光纖熔點(diǎn)保護(hù)裝置





