[發明專利]一種非極性GaN薄膜及其生長方法有效
| 申請號： | 200810200458.6 | 申請日： | 2008-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN101364631A | 公開（公告）日： | 2009-02-11 |
| 發明（設計）人： | 周健華;郝茂盛;顏建鋒;潘堯波;周圣明 | 申請（專利權）人： | 上海藍光科技有限公司;彩虹集團公司;中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 極性 gan 薄膜 及其 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種非極性GaN薄膜的生長方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
步驟一：在MOCVD系統中，在N2保護下，升溫到800-900℃，在鋁酸鋰襯底上生長低溫保護層，低溫保護層壓力150-500torr，TMGa流量1-50sccm，對應于摩爾流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；
步驟二：降低壓力至100-300torr，升溫到1000-1100℃生長U-GaN層，TMGa流量10-200sccm，對應于摩爾流量：4E-5mol/min-1E-3mole/min；
步驟三：再升溫到1150-1200℃，在這個溫度下生長高溫U-GaN層100nm；
步驟四：再降溫到1000-1100℃生長另一U-GaN層。
2.如權利要求1所述的一種非極性GaN薄膜的生長方法，其特征在于：在步驟一中，在生長開始之前，首先對鋁酸鋰襯底表面在600-900℃下進行原位熱處理。?
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