[發明專利]增加熱處理反應室利用率的方法有效
| 申請號： | 200810200276.9 | 申請日： | 2008-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN101685766A | 公開（公告）日： | 2010-03-31 |
| 發明（設計）人： | 桂遠遠;趙星 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李時云 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 增加 熱處理 反應 利用率 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種增加熱處理反應室利用率的方法，其特征在于，包括：
將半導體襯底放入熱處理反應室；
向熱處理反應室內通入第一氣體，進行熱處理工藝；
將半導體襯底從熱處理反應室內取出；
在所述半導體襯底上沉積絕緣介質層；
在充滿第一氣體的熱處理反應室中放入虛擬片；
抽出第一氣體后，在反應室中通入第二氣體；
將具有絕緣介質層的半導體襯底放入熱處理反應室，進行熱處理工藝。
2.根據權利要求1所述增加熱處理反應室利用率的方法，其特征在于，所述第一氣體為氨氣，第二氣體為氧氣。
3.根據權利要求2所述增加熱處理反應室利用率的方法，其特征在于，所述氧氣的流量為1～50slm。
4.根據權利要求1所述增加熱處理反應室利用率的方法，其特征在于，所述將第二氣體完全充滿熱處理反應室的時間為大于等于10分鐘。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
