[發明專利]溝槽制作方法及系統

無效

• 申請號: 200810200272.0
• 申請日: 2008-09-23
• 公開（公告）號: CN101685773A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: 陳榮堂;金達;徐寬;顧菁
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/311;H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所（普通合伙）
• 代理人: 屈 蘅;李時云

1、一種溝槽制作方法，所述溝槽需制作在有孔的基體上，且孔開口區位于溝槽開口區內，其特征在于，該方法包括：

向孔開口所在的基體表面填涂負光刻膠，形成負光刻膠層；

光照所述表面上溝槽開口區之外區域的負光刻膠層；

顯影去除未光照過的負光刻膠層；

以殘留的負光刻膠層為掩膜，刻蝕該基體形成所述溝槽。

2、如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基體、孔及溝槽為大馬士革結構的組成部分，其中大馬士革結構用于連接集成電路中一個以上互連層的元件。

3、如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述基體包含一個以上電介質層和一個以上刻蝕停止層。

4、如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述大馬士革結構以銅為導電材料，其中銅填充至所述孔及溝槽。

5、如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述集成電路為閃存或動態隨機存儲器。

6、如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溝槽的深度大于5800埃。

7、如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溝槽寬度小于1500埃。

8、一種溝槽制作系統，所述溝槽需制作在有孔的基體上，且孔開口區位于溝槽開口區內，其特征在于，該系統包括：

負光刻膠填涂單元，用于向孔開口所在的基體表面填涂負光刻膠，形成負光刻膠層；

光照單元，用于光照所述表面上溝槽開口區之外區域的，由負光刻膠填涂單元形成的負光刻膠層；

顯影單元，用于顯影去除光照單元未光照過的負光刻膠層；

刻蝕單元，用于以顯影單元顯影后，殘留的負光刻膠層為掩膜，刻蝕該基體形成所述溝槽。

9、如權利要求8所述的系統，其特征在于，所述基體、孔及溝槽為大馬士革結構的組成部分，其中大馬士革結構用于連接集成電路中一個以上互連層的元件。

10、如權利要求9所述的系統，其特征在于，所述基體包含一個以上電介質層和一個以上刻蝕停止層。

11、如權利要求9所述的系統，其特征在于，所述大馬士革結構以銅為導電材料，其中銅填充至所述孔及溝槽。

12、如權利要求9所述的系統，其特征在于，所述集成電路為閃存或動態隨機存儲器。

13、如權利要求8所述的系統，其特征在于，所述溝槽的深度大于5800埃。

14、如權利要求8所述的系統，其特征在于，所述溝槽寬度小于1500埃。