[發明專利]減少集成電路角部剝落的結構

有效

• 申請號: 200810192904.3
• 申請日: 2008-12-29
• 公開（公告）號: CN101640190A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發明（設計）人: 陳憲偉;劉豫文;蔡豪益
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所
• 代理人: 馬鐵良

1.一種破裂防止結構，布置在劃片槽之間的多個半導體管芯，其中， 劃片槽包括至少一個破裂防止結構，該破裂防止結構包括：

半導體襯底；

布置在半導體襯底上的第一材料的第一多個電介質層；

以不同于第一材料的第二材料，布置在第一多個電介質層上的第二多 個電介質層，其中，第一多個電介質層和第二多個電介質層在界面處相遇； 和

形成通過第一多個電介質層和第二多個電介質層的界面的多個金屬結 構和多個通孔結構。

2.按照權利要求1的破裂防止結構，其中，第一材料包括低-K電介 質材料。

3.按照權利要求1的破裂防止結構，其中，第一材料包括超低-K、特 超低-K、XLK、或其結合的電介質材料。

4.按照權利要求1的破裂防止結構，其中，多個金屬結構和多個通 孔結構至少延伸通過第二多個電介質層。

5.按照權利要求1的破裂防止結構，其中，多個金屬結構和多個通孔 結構至少延伸通過第一多個電介質層。

6.按照權利要求1的破裂防止結構，其中，多個金屬結構和多個通孔 結構延伸通過所有的第一和第二多個管芯層。

7.按照權利要求1的破裂防止結構，還包括形成在覆蓋第一和第二多 個電介質層的鈍化層上的鍵合/焊盤焊點結構。

8.按照權利要求1的破裂防止結構，其中，多個通孔結構是在多個金 屬結構之間，多個通孔結構互連多個金屬結構。

9.一種半導體晶片，包括：

多個半導體管芯；

多個設置在鄰接半導體管芯之間的劃片槽；

在鄰接于半導體管芯的角部的多個劃片槽里形成的破裂防止結構，其 中，所述破裂防止結構包括：

半導體襯底；

布置在半導體襯底上的第一材料的第一多個電介質層；

以不同于第一材料的第二材料，布置在第一多個電介質層上的第二多 個電介質層，其中，第一多個電介質層和第二多個電介質層在界面處相遇； 和

形成通過第一多個電介質層和第二多個電介質層的界面的多個金屬結 構和多個通孔結構。

10.按照權利要求9的半導體晶片，還包括附加破裂防止結構，附加 破裂防止結構形成在劃片槽里并且接近于半導體管芯的側壁。

11.按照權利要求9的半導體晶片，其中，破裂防止結構至少包括連 續線、虛線、多個連續線、多個虛線、或其結合之一。

12.按照權利要求9的半導體晶片，其中，破裂防止結構至少包括L- 形、十字形、矩形、連續的矩形構形、T-形、八角形、正三角形、或其結 合之一。

13.按照權利要求9的半導體晶片，其中，破裂防止結構僅從最上面 的金屬結構延伸。

14.一種方法，包括：

在半導體襯底上形成多個半導體管芯；和

在劃片槽里形成破裂防止結構，劃片槽被處于在兩個鄰接的半導體管 芯里，

其中，破裂防止結構包括：

在半導體襯底上布置第一材料的第一多個電介質層；

以不同于第一材料的第二材料，在第一多個電介質層上布置第二多個 電介質層，其中，第一多個電介質層和第二多個電介質層在界面處相遇； 和

通過第一多個電介質層和第二多個電介質層的界面形成的多個金屬結 構和多個通孔結構。

15.按照權利要求14的方法，其中，形成破裂防止結構包括在接近于 半導體管芯的角部形成破裂防止結構。