[發(fā)明專利]磁場干預(yù)條件下配合物小晶體合成實(shí)驗(yàn)研究裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810190109.0 | 申請日: | 2008-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN101514478A | 公開(公告)日: | 2009-08-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姜晶晶;李榕生;孔祖萍;孫杰;王峰;王魯雁;楊欣;李月嬌;巫遠(yuǎn)招 | 申請(專利權(quán))人: | 寧波大學(xué) |
| 主分類號: | C30B7/00 | 分類號: | C30B7/00;B01L11/00 |
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| 地址: | 315211浙江省寧波市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁場 干預(yù) 條件下 配合 晶體 合成 實(shí)驗(yàn) 研究 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種磁場干預(yù)條件下配合物小晶體合成實(shí)驗(yàn)研究裝置,屬于C30B單晶生長領(lǐng)域。
背景技術(shù)
配合物小晶體的合成探索、結(jié)構(gòu)分析及其應(yīng)用評價(jià)等研究工作具有雙重意義,一方面,有助于進(jìn)一步深入地探求相關(guān)科學(xué)規(guī)律,另一方面,某些具有潛在應(yīng)用前景的新型功能性晶體材料也有望在這一過程中得以揭示。
這類研究中,首先要做的事情,是探查新晶體的合成條件,其中,室溫或近室溫條件下的溶劑揮發(fā)法因其溫和的方式而通常被優(yōu)先關(guān)注。
由于存在諸多的可能影響配合物小晶體生長速率及晶體品質(zhì)的條件因素,因而,篩查性的合成實(shí)驗(yàn)通常是必須的,這一類篩查性實(shí)驗(yàn)一般選擇同時(shí)使用許多的小燒杯展開平行的合成探查,優(yōu)先選擇小燒杯是由這類實(shí)驗(yàn)的劑量以及與這種劑量相適應(yīng)的溶劑揮發(fā)合成手段決定的。
上述實(shí)驗(yàn)通常只涉及數(shù)毫升至數(shù)十毫升濾清反應(yīng)液這樣一種較小的反應(yīng)劑量。大體的合成步驟是,先將按設(shè)計(jì)配制的各濾清反應(yīng)液分別置于不同的燒杯里,在各小燒杯的口部包覆開有一些微小空洞的聚乙烯膜,然后,將各小燒杯靜置于室內(nèi)通風(fēng)處,各小燒杯內(nèi)的溶劑經(jīng)由各聚乙烯覆膜上的微小空洞緩慢揮發(fā),逐漸反應(yīng)、濃縮并進(jìn)而形成相關(guān)配合物小晶體,之后,所得到的配合物小晶體被用于作進(jìn)一步的理化分析與評價(jià)。
在耗時(shí)費(fèi)力地展開的上述探索過程中,最激動(dòng)人心的莫過于偶然地發(fā)現(xiàn)在電、光、聲、磁等方面有潛在價(jià)值的配合物晶體材料苗子,然而,本案設(shè)計(jì)人注意到,實(shí)際上,有潛在價(jià)值的配合物晶體材料苗子其發(fā)現(xiàn)機(jī)會(huì)稀少、罕見,宛如深海尋針。究其原因,是一般科研實(shí)驗(yàn)室在上述合成探索過程中所采用的實(shí)驗(yàn)方法均過于粗放,沒有引入有助于培育在電、光、聲、磁等方面有潛在價(jià)值的配合物晶體材料苗子的額外的輔助的引導(dǎo)因素,這使得目標(biāo)晶體的探求效率低下。
在電、光、聲、磁等任何方面哪怕僅有一絲特異表現(xiàn)的配合物小晶體都是彌足珍貴的晶體材料苗子,都是值得努力尋求的科學(xué)目標(biāo)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是,在篩查性合成實(shí)驗(yàn)探求模式中,引入額外的輔助的引導(dǎo)因素,特別是磁場引導(dǎo)因素,研發(fā)一種應(yīng)用于考察、了解磁場條件下配合物小晶體相關(guān)反應(yīng)及生長規(guī)律,評價(jià)相關(guān)誘導(dǎo)效應(yīng),進(jìn)而有助于提高相關(guān)目標(biāo)晶體合成探求效率的實(shí)驗(yàn)裝置。
本發(fā)明通過如下方案解決所述技術(shù)問題,該方案提供一種磁場干預(yù)條件下配合物小晶體合成實(shí)驗(yàn)研究裝置,該裝置的結(jié)構(gòu)其骨架是由一個(gè)板狀物以及與所述板狀物連接在一起的支撐腳構(gòu)成,所述支撐腳是用于將所述板狀物架空的構(gòu)件,在所述板狀物的上側(cè)板面上裝設(shè)有許多的淺盞狀物,在所述板狀物的下側(cè)板面與每一個(gè)所述淺盞狀物相互鄰接的結(jié)構(gòu)位置上對應(yīng)地裝設(shè)有一個(gè)扁平匣狀物,所述許多的淺盞狀物對應(yīng)鄰接著許多的所述扁平匣狀物,在扁平匣狀物內(nèi)裝設(shè)有永久磁鐵。所述淺盞狀物用于安置燒杯。
所述永久磁鐵可以是任何一種已知的永久磁鐵,關(guān)于永久磁鐵的技術(shù)含義是公知的,基于價(jià)格以及性能方面等方面的考慮,所述永久磁鐵可以優(yōu)選硬磁鐵氧體永磁體或釹鐵硼永磁體。硬磁鐵氧體永磁體以及釹鐵硼永磁體的技術(shù)含義當(dāng)然也是公知的。
所述永久磁鐵的形狀可以是任何形狀,例如方形、環(huán)形、U形、板形、梯形、條形等等,基于緊湊其結(jié)構(gòu)的考慮,所述永久磁鐵優(yōu)選扁平板狀的永久磁鐵。
所述淺盞狀物的輪廓可以是圓形、方形、橢圓形等形態(tài),為便于安置實(shí)驗(yàn)用的燒杯,所述淺盞狀物優(yōu)選圓形的形態(tài),該圓形的淺盞狀物其深度尺寸及直徑尺寸可以允許是任意的尺寸,還是為便于安置反應(yīng)器皿,該圓形的淺盞狀物的深度尺寸優(yōu)選范圍介于1.0厘米到4.0厘米之間,該圓形的淺盞狀物其直徑尺寸其優(yōu)選范圍介于5.3厘米到5.5厘米之間。所述優(yōu)選尺寸適合于寬緊及深度適中地將常見規(guī)格的一百毫升燒杯安置于其中,該優(yōu)選尺寸的所述深度尺寸范圍以及所述直徑尺寸范圍的相應(yīng)上限值以及相應(yīng)下限值以及相應(yīng)中間值都是可取的適當(dāng)?shù)膬?yōu)選尺寸值。一百毫升燒杯是較適用于該類實(shí)驗(yàn)的小燒杯。
裝置中的所述支撐腳可以是任意形狀的支撐腳,所述任意形狀例如方柱形、圓柱形、錐形等等,基于簡潔其結(jié)構(gòu)的考慮,優(yōu)選柱狀支撐腳;所述支撐腳的數(shù)量根據(jù)需要可以是一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè),等等,從穩(wěn)定角度考慮,支撐腳的數(shù)量在三個(gè)以上較有利于裝置的平穩(wěn)放置。
方案中的許多一詞,意指較多的數(shù)量,所述許多例如十個(gè)、二十個(gè)、三十個(gè)、四十個(gè)、五十個(gè)、六十個(gè),等等。
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