[發明專利]一種集成電路制造工藝中使間距縮小的材料圖案化的方法

有效

• 申請號: 200810187890.6
• 申請日: 2008-12-22
• 公開（公告）號: CN101567305A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發明（設計）人: 洪士平
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 壽 寧;張華輝

1.一種使間距縮小的材料圖案化的方法，其特征在于其包括以下步驟：

圖案化在一基板上的一第一材料之上的一第二材料；

轉換所述已圖案化的第二材料的一表面部分以形成一第三材料，其中，所 述第三材料位于剩余的所述已圖案化的第二材料的周圍；

在相鄰的所述第三材料之間的間隙內填充一第四材料；

移除部分所述第三材料，以暴露出剩余的所述已圖案化的第二材料的 頂面；其中位于所述第三材料之間的所述第四材料的高度與剩余的所述已 圖案化的第二材料的高度不同；

移除所述第三材料形成一掩模；以及

使用所述掩模圖案化所述第一材料。

2.根據權利要求1述的方法，其特征在于其中所述的移除所述第三材 料的所述部分包括使用一化學機械研磨制造工藝。

3.根據權利要求1述的方法，其特征在于其中所述的移除所述第三材 料的所述部分包括使用一蝕刻制造工藝。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的轉換步驟包括 氧化所述已圖案化的第二材料的所述表面部分。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的第二材料包括 一含硅材料。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的轉換步驟包括 氧化制造工藝、氮化制造工藝和金屬硅化制造工藝之中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的第三材料包括 氮化硅、氧化硅和金屬硅化物之中的至少一種。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的掩模包括硅、氧 化硅、氮化硅和金屬硅化物之中的至少一種。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的第二材料和所 述第四材料為相同的材料。

10.一種使間距縮小的材料圖案化的方法，其特征在于其包括以下步 驟：

圖案化覆蓋于一基板之上的一第一材料；

轉換部分的所述第一材料以形成多個的第二材料；

使用一第三材料填充相鄰的第二材料之間的間隙；

移除部分所述第二材料，以暴露出轉換后剩余的圖案化的所述第一材 料的頂面；其中位于所述第二材料之間的所述第三材料的高度與轉換后剩 余的圖案化的所述第一材料的高度不同；以及

移除所述第二材料形成多個特征和多個間隔。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于其中至少兩個所述特征 或兩個所述間隔為預先確定的寬度。

12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于其中所述的第一材料包 括一含硅材料。

13.根據權利要求10所述的方法，其特征在于其中所述的轉換部分的 所述第一材料以形成多個的第二材料的步驟包括氧化制造工藝、氮化制造 工藝和金屬硅化制造工藝之中的至少一種。

14.根據權利要求10所述的方法，其特征在于其中所述的第二材料包 括氧化硅、氮化硅和金屬硅化物之中的至少一種。