[發(fā)明專利]固態(tài)成像裝置、其制造方法及成像設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810187316.0
• 申請日: 2008-12-26
• 公開（公告）號: CN101471368A
• 公開（公告）日: 2009-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 池田晴美;檜山晉;安藤崇志;田渕清隆;山口哲司;大岸裕子
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/822;H04N5/225;H04N5/335
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 余 剛;吳孟秋

1.一種固態(tài)成像裝置，該裝置具有對入射光進行光電轉(zhuǎn)換的光接收部，并且包括：

絕緣膜，形成在所述光接收部的光接收面上；以及

具有負(fù)固定電荷的膜，形成在所述絕緣膜上，其中

在所述光接收部的光接收面?zhèn)刃纬煽昭ň奂瘜樱?/p>

在所述光接收部的一側(cè)設(shè)置形成了外圍電路的外圍電路部，并且

所述絕緣膜在所述外圍電路部的表面與具有負(fù)固定電荷的膜之間形成，使得所述外圍電路部的表面與所述具有負(fù)固定電荷的膜之間的距離大于所述光接收部的表面與所述具有負(fù)固定電荷的膜之間的距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，其中，所述具有負(fù)固定電荷的膜為氧化鉿膜、氧化鋁膜、氧化鋯膜、氧化鉭膜或氧化鈦膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，其中，所述絕緣膜包括氧化硅膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，其中，在所述外圍電路部與所述具有負(fù)固定電荷的膜之間所形成的所述絕緣膜包括氧化硅膜、氮化硅膜以及氮氧化硅膜中的一種或多種膜的層壓結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，其中，所述固態(tài)成像裝置為背面照射型固態(tài)成像裝置，包括具有將入射光量轉(zhuǎn)換成電信號的光接收部的多個像素部和在形成了所述像素部的半導(dǎo)體基板的一個表面?zhèn)壬系呐渚€層，并且從與形成了所述配線層的表面的相對側(cè)入射的光被所述光接收部接收。

6.一種固態(tài)成像裝置，該裝置具有對入射光進行光電轉(zhuǎn)換的光接收部，并且包括：

絕緣膜，形成在所述光接收部的光接收面上并透射所述入射光；以及

用于施加負(fù)電壓的膜，形成在所述絕緣膜上，其中

在所述光接收部的光接收面?zhèn)刃纬煽昭ň奂瘜樱?/p>

在所述光接收部的一側(cè)設(shè)置形成了外圍電路的外圍電路部，并且

所述絕緣膜在所述外圍電路部的表面與所述用于施加負(fù)電壓的膜之間形成，使得所述外圍電路部的表面與所述用于施加負(fù)電壓的膜之間的距離大于所述光接收部的表面與所述用于施加負(fù)電壓的膜之間的距離。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)成像裝置，其中，所述用于施加負(fù)電壓的膜由透射所述入射光的導(dǎo)電材料制成。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)成像裝置，其中，包括氧化硅膜、氮化硅膜及氮氧化硅膜中的一種或多種膜的層壓結(jié)構(gòu)的膜在所述外圍電路部與所述用于施加負(fù)電壓的膜之間形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)成像裝置，其中，所述固態(tài)成像裝置為背面照射型固態(tài)成像裝置，包括具有將入射光量轉(zhuǎn)換成電信號的光接收部的多個像素部和在形成了所述像素部的半導(dǎo)體基板的一個表面?zhèn)壬系呐渚€層，并且從與形成了所述配線層的表面的相對側(cè)入射的光被所述光接收部接收。

10.一種用于在半導(dǎo)體基板中形成有對入射光進行光電轉(zhuǎn)換的光接收部的固態(tài)成像裝置的制造方法，所述制造方法包括以下步驟：

在形成了所述光接收部的所述半導(dǎo)體基板上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成具有負(fù)固定電荷的膜；以及

在形成所述具有負(fù)固定電荷的膜的步驟后，對所述具有負(fù)固定電荷的膜的表面應(yīng)用氮等離子處理，或?qū)λ鼍哂胸?fù)固定電荷的膜的表面應(yīng)用電子束固化，其中

通過所述具有負(fù)固定電荷的膜在所述光接收部的光接收面?zhèn)刃纬煽昭ň奂瘜樱?/p>

所述絕緣膜在所述外圍電路部的表面與具有負(fù)固定電荷的膜之間形成，使得所述外圍電路部的表面與所述具有負(fù)固定電荷的膜之間的距離大于所述光接收部的表面與所述具有負(fù)固定電荷的膜之間的距離。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的用于固態(tài)成像裝置的制造方法，其中，所述形成具有負(fù)固定電荷的膜的步驟包括以下步驟：

通過原子層沉積法在所述絕緣膜上形成第一氧化鉿膜；以及

通過物理氣相沉積法在所述第一氧化鉿膜上形成第二氧化鉿膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的用于固態(tài)成像裝置的制造方法，其中，以至少等于或大于所述具有負(fù)固定電荷的膜必需的3nm的厚度來形成所述第一氧化鉿膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求10的用于固態(tài)成像裝置的制造方法，其中，所述具有負(fù)固定電荷的膜包括氧化鉿膜。