[發明專利]金屬用研磨液及研磨方法有效
| 申請號: | 200810186929.2 | 申請日: | 1999-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN101440259A | 公開(公告)日: | 2009-05-27 |
| 發明(設計)人: | 內田剛;星野鐵哉;上方康雄;寺崎裕樹;松澤純;本間喜夫;近藤誠一 | 申請(專利權)人: | 日立化成工業株式會社;株式會社日立制作所 |
| 主分類號: | C09G1/18 | 分類號: | C09G1/18;C23F3/00;C23F3/06;H01L21/321 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 | 代理人: | 鐘 晶 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 研磨 方法 | ||
1.一種金屬用研磨液,它含有氧化劑、氧化金屬溶解劑、第1保護膜形 成劑、第2保護膜形成劑及水,
上述氧化劑是選自過氧化氫、硝酸、過碘酸鉀、次氯酸及臭氧水中的至少 一種,
上述氧化金屬溶解劑是選自有機酸、有機酸的銨鹽及硫酸中的至少一種,
上述第1保護膜形成劑是通過物理吸附和/或形成化學鍵而在金屬膜表 面形成保護膜的化合物,上述第2保護膜形成劑是輔助第1保護膜形成劑形成 保護膜的化合物,
上述第1保護膜形成劑是選自氨、胺、氨基酸、亞胺、唑、硫醇及糖類中 的至少一種,上述第2保護膜形成劑是選自具有醇性或者苯酚性羥基的化合 物、酯、醚、多糖類、氨基酸鹽、聚羧酸、聚羧酸鹽、乙烯基系聚合物、酰胺、 偶氮化合物及鉬化合物中的至少一種。
2.權利要求1所述的金屬用研磨液,其中,上述第1保護膜形成劑是選 自苯并三唑及其衍生物中的至少一種。
3.權利要求1所述的金屬用研磨液,其中,上述第1保護膜形成劑是將 腐蝕速度抑制在10nm/min以下的化合物。
4.權利要求1所述的金屬用研磨液,其中,上述第2保護膜形成劑是選 自聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚酰胺酸、聚丙烯酸銨、聚甲基丙烯酸銨、聚酰 胺酸銨及聚丙烯酰胺中的至少一種。
5.權利要求1所述的金屬用研磨液,其中,上述第2保護膜形成劑是使 第1保護膜形成劑的添加量減少的化合物。
6.權利要求1所述的金屬用研磨液,其中,上述氧化金屬溶解劑是選自 蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、蘋果酸銨、酒石酸銨及檸檬酸銨中的至少一種。
7.權利要求1所述的金屬用研磨液,該研磨液的化學機械研磨速度是 100nm/min以上、腐蝕速度是10nm/min以下。
8.權利要求7所述的金屬用研磨液,其中,上述腐蝕速度是1nm/min 以下。
9.權利要求7所述的金屬用研磨液,其中,上述化學機械研磨速度是250nm /min以上。
10.權利要求1或7所述的金屬用研磨液,其用于研磨包含銅、銅合金、 銅氧化物及銅合金氧化物中的至少任一種的金屬。
11.權利要求1或7所述的金屬用研磨液,其實質上不含磨粒。
12.一種研磨方法,該研磨方法是在權利要求1或7所述的金屬用研磨液 中通過研磨來去除被研磨物表面的金屬膜。
13.權利要求12所述的研磨方法,其中,上述金屬膜包含銅、銅合金、 銅氧化物及銅合金氧化物中的至少任一種。
14.權利要求12所述的研磨方法,其中,上述被研磨物在表面上備有疊 層膜,該疊層膜具有包含銅、銅合金、銅氧化物及銅合金氧化物中的至少任一 種的金屬層,上述研磨方法是從上述疊層膜去除上述金屬層的至少一部分的方 法。
15.權利要求12所述的研磨方法,其中,上述金屬用研磨液實質上不含 磨粒。
16.一種研磨方法,該方法通過在金屬研磨液中進行研磨來除去被研磨物 表面的金屬膜,其中,所述金屬用研磨液含有氧化劑、氧化金屬溶解劑、第1 保護膜形成劑和第2保護膜形成劑,
上述第1保護膜形成劑是通過物理吸附和/或形成化學鍵而在金屬膜表 面形成保護膜的化合物,上述第2保護膜形成劑是輔助第1保護膜形成劑形成 保護膜的化合物,
上述第1保護膜形成劑是選自氨、胺、氨基酸、亞胺、唑、硫醇及糖類中 的至少一種,
上述被研磨物在表面上備有疊層膜,該疊層膜具有包含銅、銅合金、銅氧 化物及銅合金氧化物中的至少任一種的金屬層。
17.權利要求16所述的研磨方法,其中,上述金屬用研磨液實質上不含 磨粒。
18.權利要求16所述的研磨方法,其中,上述金屬用研磨液的化學機械 研磨速度是100nm/min以上、腐蝕速度是10nm/min以下。
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