[發(fā)明專利]使用混合式輔助特征系統(tǒng)形成半導體器件的圖案的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810186656.1
• 申請日: 2008-12-16
• 公開（公告）號: CN101609787A
• 公開（公告）日: 2009-12-23
• 發(fā)明（設計）人: 李鈿揆
• 申請（專利權(quán)）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/027;H01L21/82;H01L21/768;G03F1/00;G03F1/14;G03F7/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 楊林森;康建峰

1.一種用于形成半導體器件的圖案的方法，所述方法包括：

設置要被轉(zhuǎn)印的密集圖案至晶片的密集圖案區(qū)域中；

在所述密集圖案外的區(qū)域中插入用于限制所述密集圖案的圖案變形 的第一虛設圖案；

在所述第一虛設圖案內(nèi)的區(qū)域中插入用于限制所述第一虛設圖案的 圖案變形的第一輔助特征；

在所述第一虛設圖案外的區(qū)域中插入用于額外限制所述第一虛設圖 案的圖案變形的第二輔助特征的陣列，以設計要被轉(zhuǎn)印至所述晶片上的圖 案布局；以及

通過以曝光工藝轉(zhuǎn)印所述圖案布局至所述晶片上，形成所述第一虛設 圖案和所述密集圖案的陣列。

2.如權(quán)利要求1的方法，其中所述第一虛設圖案具有比所述密集圖案 的關鍵尺寸大的關鍵尺寸。

3.如權(quán)利要求1的方法，進一步包括：

插入具有等于所述密集圖案的關鍵尺寸及形狀的第二虛設圖案的陣 列，其中所述第二虛設圖案的陣列被插入在所述第一虛設圖案與所述密集 圖案之間。

4.如權(quán)利要求1的方法，其中

當所述第一虛設圖案被設置為固體圖案時，所述第一輔助特征被設置 為間隔圖案，以及

當所述第一虛設圖案被設置為間隔圖案時，所述第一輔助特征被設置 為固體圖案。

5.如權(quán)利要求1的方法，其中所述第二輔助特征被插入為在與所述第 一虛設圖案的方向垂直的方向延伸的條形圖案。

6.如權(quán)利要求5的方法，其中使用具有設置在所述條形圖案的延伸方 向上的極的非對稱曝光設備，實施以曝光工藝轉(zhuǎn)印所述圖案布局至所述晶 片上的步驟。

7.如權(quán)利要求6的方法，其中所述非對稱曝光設備是具有設置在所述 條形圖案的延伸方向上的兩個極的偶極曝光設備。

8.如權(quán)利要求1的方法，其中第二輔助特征包括：

在與所述第一虛設圖案的方向垂直的方向延伸的第一條形圖案，以及

比所述第一條形圖案延伸更長且具有設置成相鄰于所述第一虛設圖 案的間隔的端的第二條形圖案。

9.如權(quán)利要求1的方法，其中所述第二輔助特征被插入為在與所述第 一虛設圖案的方向平行的方向延伸的條形圖案。

10.一種用于形成半導體器件的圖案的方法，所述方法包括：

在晶片的單元區(qū)域中設置用于設置有源區(qū)的單元圖案；

在所述單元圖案外的區(qū)域中設置第一虛設圖案，其中所述第一虛設圖 案具有比所述單元圖案大的關鍵尺寸，所述第一虛設圖案限制所述單元圖 案的圖案變形；

在所述第一虛設圖案內(nèi)的區(qū)域中插入用于限制所述第一虛設圖案的 圖案變形的第一輔助特征，其中所述第一輔助特征是間隔圖案；

在所述第一虛設圖案外的區(qū)域中插入用于額外限制所述第一虛設圖 案的圖案變形的第二輔助特征的陣列，其中所述第二輔助特征包括在與所 述第一虛設圖案的方向垂直的方向延伸且具有設置成相鄰所述第一虛設 圖案的端的條形圖案，所述第二輔助特征用于設計要被轉(zhuǎn)印至所述晶片上 的圖案布局；以及

通過以曝光工藝轉(zhuǎn)印所述圖案布局至所述晶片上，形成所述第一虛設 圖案和用于暴露所述晶片的隔離區(qū)域的單元圖案的陣列。

11.如權(quán)利要求10的方法，進一步包括插入具有等于所述單元圖案的 關鍵尺寸和形狀的第二虛設圖案的陣列，其中所述第二虛設圖案的陣列插 入在所述第一虛設圖案和所述單元圖案之間。

12.如權(quán)利要求10的方法，其中使用具有設置在所述單元圖案的輔軸 方向上的對應極的偶極曝光設備，實施以曝光工藝轉(zhuǎn)印所述圖案布局至所 述晶片上。