[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810185799.0
• 申請日: 2008-12-10
• 公開（公告）號: CN101465380A
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洪志鎬
• 申請（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L29/788
• 分類號: H01L29/788;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 朱 勝;王 萍

本申請要求韓國專利申請第10-2007-0133227號(2007年12月18日申請)的優(yōu)先權(quán)，該專利申請以其整體通過引用結(jié)合于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體器件及其制造方法。

背景技術(shù)

快閃器件的耦合率(coupling?ratio)是可以說明快閃單元特性的重要參數(shù)。盡管可以向控制柵施加恒定電壓，但是隨著耦合率變得更大，可以向浮柵施加電壓。這可能使最終的柵電場變大，并且更多熱電子可能被拉向控制柵。因為快閃單元的這個特性，增加耦合率可能是重要的。在這點上，諸如控制柵的厚度、多晶間電介質(zhì)(inter?poly?dielectric，IPD)的厚度和種類等等之類的設(shè)置條件可能是重要因素。

發(fā)明內(nèi)容

實施例涉及可以簡化制造過程并且可以提高耦合率的半導體器件及其制造方法。

根據(jù)實施例，半導體器件可以包括以下中的至少一個：浮柵；多晶間電介質(zhì)(IPD)，其形成在位線方向上的浮柵的兩側(cè)上面和/或上方以及字線方向上的浮柵的兩側(cè)上面和/或上方；以及控制柵，其形成在IPD上面和/或上方。

根據(jù)實施例，用于制造半導體器件的方法可以包括以下中的至少一個：形成用于形成浮柵的第一多晶膜(poly?film)；通過以位線方向和字線方向的網(wǎng)格形式蝕刻第一多晶膜而使浮柵圖案化；在浮柵上面和/或上方形成多晶間電介質(zhì)(IPD)；在IPD上面和/或上方形成用于形成控制柵的第二多晶膜；以及然后通過蝕刻第二多晶膜使控制柵圖案化。

根據(jù)實施例，用于制造半導體器件的方法可以包括以下中的至少一個：形成用于形成浮柵的第一多晶膜；在第一多晶膜上面和/或上方形成光致抗蝕劑膜；在第一方向上，在光致抗蝕劑膜上面和/或上方執(zhí)行第一曝光；在可以垂直于第一方向的第二方向上，在第一曝光在其上面和/或上方執(zhí)行的光致抗蝕劑上面和/或上方執(zhí)行第二曝光；通過在第二曝光在其上面和/或上方執(zhí)行的光致抗蝕劑膜和第一多晶膜上面和/或上方執(zhí)行蝕刻，形成以網(wǎng)格形式圖案化的浮柵；在浮柵上面和/或上方形成多晶間電介質(zhì)(IPD)；在IPD上面和/或上方形成用于形成控制柵的第二多晶膜；以及然后通過蝕刻第二多晶膜使控制柵圖案化。

附圖說明

示例性的圖1是圖示根據(jù)實施例的用于制造半導體器件的方法的流程圖。

示例性的圖2是圖示根據(jù)實施例的浮柵的圖案化的示圖。

示例性的圖3是根據(jù)實施例的字線方向上的半導體器件的橫截面圖。

示例性的圖4是根據(jù)實施例的位線方向上的半導體器件的橫截面圖。

具體實施方式

示例性的圖1是圖示根據(jù)實施例的用于制造半導體器件的方法的流程圖。參考示例性的圖1，可以形成用于形成浮柵的第一多晶膜(步驟401)。然后例如通過蝕刻第一多晶膜可以使浮柵圖案化(步驟403)。

參考示例性的圖2，當通過蝕刻第一多晶膜使浮柵圖案化時，可以以位線方向和字線方向的網(wǎng)格形式蝕刻并圖案化第一多晶膜。從而可以形成浮柵51，所述浮柵51可以既在位線方向上又在字線方向上蝕刻。根據(jù)實施例，當通過蝕刻第一多晶膜使浮柵51圖案化時，可以用位線方向和字線方向的網(wǎng)格形式圖案化的浮柵51可以通過一次曝光過程和一次蝕刻過程來形成。

再次參考示例性的圖1，根據(jù)實施例，可以形成浮柵51上面和/或上方的多晶間電介質(zhì)(IPD)(步驟405)。根據(jù)實施例，IPD可以由氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層形成。浮柵51可以既在位線方向上又在字線方向上蝕刻。IPD從而可以形成在浮柵51的頂部和四個側(cè)壁上面和/或上方。IPD可以形成在位線方向上的浮柵51的兩個側(cè)壁上面和/或上方，并且IPD還可以形成在字線方向上的浮柵51的兩個側(cè)壁上面和/或上方。

第二多晶膜可以被形成，并且第二多晶膜可以在IPD上面和/或上方形成控制柵(步驟407)。第二多晶膜可以形成在位線方向上的IPD的兩個側(cè)壁上面和/或上方以及字線方向上的IPD的兩個側(cè)壁上面和/或上方。然后可以通過蝕刻第二多晶膜使控制柵圖案化(步驟409)。可以通過在字線方向上蝕刻并圖案化第二多晶膜來形成控制柵。由此可以形成包括浮柵和控制柵的半導體器件。