[發明專利]白色發光二極管芯片及其制造方法

有效

• 申請號: 200810181346.0
• 申請日: 2008-11-19
• 公開（公告）號: CN101442095A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發明（設計）人: 金河哲
• 申請（專利權）人: 日進半導體株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司
• 代理人: 許 靜

1.一種白色發光二極管芯片制造方法，其特征在于，包括：

在包括絕緣體基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2包層和上述第1包層的陽極電極和陰極電極的藍色發光二極管芯片中，除去上述絕緣體基板的步驟；以及

在上述緩沖層下和上述第2包層上中的一個以上形成熒光體層的步驟，

其中形成上述熒光體層的步驟包括：在上述緩沖層下形成第1熒光體層的步驟；及在上述第2包層上的除上述陽極電極以外的部分形成第2熒光體層的步驟。

2.如權利要求1所述的白色發光二極管芯片制造方法，其特征在于，

還包括在上述第1熒光體層下形成反射層的步驟。

3.如權利要求1所述的白色發光二極管芯片制造方法，其特征在于，

上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個是紅色熒光體層，剩余的一個是綠色熒光體層。

4.如權利要求3所述的白色發光二極管芯片制造方法，其特征在于，

上述紅色熒光體層由對CaAlSiN₃將銪用作活性劑的紅色激勵熒光體形成，

上述綠色熒光體層由對CaSc₂O₄將鈰用作活性劑的綠色激勵熒光體或對BaSrSiO₄將銪用作活性劑的綠色激勵熒光體形成。

5.一種白色發光二極管芯片制造方法，其特征在于，利用包括絕緣體基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2包層和上述第1包層的陽極電極和陰極電極的藍色發光二極管芯片制造白色發光二極管芯片；

該白色發光二極管芯片制造方法包括在上述絕緣體基板下和上述第2包層上中的一個以上形成熒光體層的步驟，

其中形成上述熒光體層的步驟包括：在上述絕緣體基板下形成第1熒光體層的步驟；及在上述第2包層上的除上述陽極電極以外的部分形成第2熒光體層的步驟。

6.如權利要求5所述的白色發光二極管芯片制造方法，其特征在于，

還包括在上述第1熒光體層下形成反射層的步驟。

7.如權利要求5所述的白色發光二極管芯片制造方法，其特征在于，

上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個是紅色熒光體層，剩余的一個是綠色熒光體層。

8.如權利要求7所述的白色發光二極管芯片制造方法，其特征在于，

上述紅色熒光體層由對CaAlSiN₃將銪用作活性劑的紅色激勵熒光體形成，

上述綠色熒光體層由對CaSc₂O₄將鈰用作活性劑的綠色激勵熒光體或對BaSrSiO₄將銪用作活性劑的綠色激勵熒光體形成。

9.一種白色發光二極管芯片，其特征在于，包括：

藍色發光二極管芯片，其包括緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2包層和上述第1包層的陽極電極和陰極電極；以及

熒光體層，形成在上述緩沖層下和上述第2包層上中的一個以上，

其中上述熒光體層包括：第1熒光體層，形成在上述緩沖層下；及第2熒光體層，形成在上述第2包層上的除上述陽極電極以外的部分。

10.如權利要求9所述的白色發光二極管芯片，其特征在于，

還包括在上述第1熒光體層下形成的反射層。

11.如權利要求9所述的白色發光二極管芯片，其特征在于，

上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個是紅色熒光體層，剩余的一個是綠色熒光體層。