[發明專利]具有III-V族化合物半導體電池的高聚光度地面太陽能電池組件無效
| 申請號： | 200810180415.6 | 申請日： | 2008-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN101494246A | 公開（公告）日： | 2009-07-29 |
| 發明（設計）人： | 丹尼爾·J·艾肯;馬克·A·斯坦;弗雷德·紐曼 | 申請（專利權）人： | 昂科公司 |
| 主分類號： | H01L31/052 | 分類號： | H01L31/052 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 孟 銳 |
| 地址： | 美國新*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 iii 化合物 半導體 電池 聚光 地面 太陽能電池 組件 | ||
1、一種從太陽產生能量的聚光光伏太陽能電池組件，其包括：
聚光透鏡，其用于產生大于500X的聚光度；及
在經聚集的光束路徑的太陽能電池，其包含
鍺襯底，其包含第一光伏結并形成底部太陽能子電池；
砷化鎵中間子電池，其設置在所述襯底上；
磷化鎵銦頂部子電池，其設置在所述中間子電池上方且具有使AM1.5光譜區中的吸收最大化的帶隙、大于7000埃的厚度及小于330歐姆/平方的片電阻(sheetresistance)，且適于以大于20個太陽的聚光度水平操作，其中所述頂部子電池的電流密度大于35安培/平方厘米。
2、如權利要求1所述的組件，其進一步包括：
表面柵格，其設置在所述頂部電池上方，且具有覆蓋所述頂部電池表面區域的大約2.5％到5％的柵格圖案。
3、如權利要求2所述的組件，其中所述柵格圖案包括5微米或更小寬度的線。
4、如權利要求2所述的組件，其中所述柵格圖案包含大于4微米的厚度的線及大于100微米的中心到中心間距。
5、如權利要求2所述的組件，其中所述柵格圖案由覆蓋所述頂部表面的多個平行柵格線組成。
6、如權利要求1所述的組件，其中所述太陽能電池具有至少3.0伏特的開路電壓(VOC)、每瓦特至少0.13安培的短路響應度、至少0.70的填充因數(FF)，且在AM?1.5太陽能輻射下以超過35％的轉換效率產生超過10瓦特的DC功率。
7、如權利要求1所述的組件，其中所述頂部、中間及底部子電池的帶隙分別為約1.9eV、1.4eV及0.7eV。
8、如權利要求1所述的組件，其中所述頂部子電池的半導體層的厚度為1微米或更大。
9、如權利要求1所述的組件，其進一步包括設置在所述底部與所述中間子電池之間的第一隧道二極管，及設置在所述中間與所述頂部子電池之間的第二隧道二極管，每一隧道二極管均能夠支持大于50安培/平方厘米的電流密度。
10、如權利要求2所述的組件，其中所述片電阻及所述柵格圖案的表面區域覆蓋經選定以使所述填充因數最大化。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
