[發(fā)明專利]曝光掩模以及利用曝光掩模的半導(dǎo)體制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810178630.2
• 申請(qǐng)日: 2008-11-21
• 公開（公告）號(hào): CN101614952A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬原光;嚴(yán)泰勝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/14
• 分類號(hào): G03F1/14;G03F1/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 屈玉華

1.一種曝光掩模，包括：

形成在掩模襯底上方的吸收體；以及

形成在所述吸收體上方的反射圖案。

2.如權(quán)利要求1所述的曝光掩模，還包括在所述吸收體和所述反射圖案之間的緩沖圖案。

3.如權(quán)利要求1所述的曝光掩模，其中所述吸收體選自包括TaN、TaON、Ta₉N、Ta₈ON、TaBN、TaBON或者Ta₇BON的組。

4.如權(quán)利要求1所述的曝光掩模，其中所述反射圖案具有包括不同材料的多分層結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的曝光掩模，其中所述反射圖案包括鉬和硅。

6.如權(quán)利要求4所述的曝光掩模，其中所述反射圖案包括在40到60之間的層。

7.如權(quán)利要求1所述的曝光掩模，其中所述曝光掩模被用于極端紫外輻射。

8.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在包括下層的半導(dǎo)體襯底上方涂敷光致抗蝕劑膜；

利用極端紫外輻射通過曝光掩模在所述光致抗蝕劑膜上進(jìn)行曝光工藝，所述曝光掩模包括：

形成在掩模襯底上方的吸收體；以及

形成在所述吸收體上方的反射圖案；

在所述光致抗蝕劑膜上進(jìn)行顯影工藝以形成光致抗蝕劑圖案；以及

利用所述光致抗蝕劑圖案作為刻蝕掩?？涛g所述下層。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中形成所述反射圖案的步驟包括：

在所述吸收體上方形成反射體；

在所述反射體上方形成光致抗蝕劑圖案；以及

利用所述光致抗蝕劑圖案作為刻蝕掩模刻蝕所述反射體。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述吸收體選自包括TaN、、TaON、Ta₉N、Ta₈ON、TaBN、TaBON或者Ta₇BON的組。

11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述反射圖案具有包括不同材料的多分層結(jié)構(gòu)。

12.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述反射圖案包括鉬和硅。

13.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述反射圖案包括在40到60層之間的層。

14.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述曝光掩模被用于極端紫外輻射。

15.一種形成曝光掩模的方法，所述方法包括：

在掩模襯底上方形成吸收體；以及

在所述吸收體上方形成反射圖案。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括在所述吸收體和所述反射圖案之間形成緩沖層。