[發明專利]負載鎖設計及其使用方法有效
| 申請號: | 200810178496.6 | 申請日: | 2008-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN101447406A | 公開(公告)日: | 2009-06-03 |
| 發明(設計)人: | 克里斯·蓋奇;肖恩·漢密爾頓;謝爾登·坦普爾頓;凱特·伍德;戴蒙·格內蒂 | 申請(專利權)人: | 諾發系統有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/677;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 王允方 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 負載 設計 及其 使用方法 | ||
1.一種用于在大氣環境與真空轉移模塊之間轉移襯底的堆疊式負載鎖組合件,其包 含:
下部負載鎖,其具有一個以上腔室,每一腔室具有襯底支撐件和可密封門,所述 可密封門可選擇性地打開以用于在所述腔室與轉移模塊機械手之間轉移襯底;
上部負載鎖,其安置在所述下部負載鎖上方,所述上部負載鎖具有一個以上腔室, 每一腔室具有襯底支撐件和可密封門,所述可密封門可選擇性地打開以用于在所述 腔室與轉移模塊機械手之間轉移晶片;
其中所述上部負載鎖與所述下部負載鎖隔離開,且所述上部與下部襯底轉移平面 之間的垂直距離不大于100mm。
2.根據權利要求1所述的堆疊式負載鎖組合件,其中從所述下部負載鎖腔室的底部測 量到所述上部負載鎖腔室的頂部,所述堆疊式負載鎖組合件的高度不大于10英寸。
3.根據權利要求1所述的堆疊式負載鎖組合件,其中腔室容積介于3與20L之間。
4.根據權利要求1所述的堆疊式負載鎖組合件,其中每一負載鎖具有雙襯底腔室。
5.根據權利要求1所述的堆疊式負載鎖組合件,其中至少一個負載鎖經配置以進行徑 向抽氣。
6.根據權利要求1所述的堆疊式負載鎖組合件,其中至少一個負載鎖經配置以進行徑 向排氣。
7.根據權利要求1所述的堆疊式負載鎖組合件,其中每一負載鎖經配置以進行徑向抽 氣和徑向排氣中的至少一者,且其中所述負載鎖組合件不具有中心抽氣或排氣端 口。
8.一種用于將襯底從第一環境轉移到第二環境的堆疊式負載鎖組合件,其包含:
上部負載鎖,其包含一個以上襯底腔室;
下部負載鎖,其包含一個以上襯底腔室;
每一上部負載鎖襯底腔室安置在下部負載鎖襯底腔室上方;以及
一個以上中心板,其用于使每一下部負載鎖襯底腔室與上覆的上部負載鎖襯底腔 室隔離,其中每一中心板界定所述上覆的上部負載鎖襯底腔室的底板和下方的下部 負載鎖襯底腔室的頂板,其中每一中心板包含第一和第二環形凹槽,所述第一環形 凹槽至少部分界定用于將氣體從所述上覆的上部負載鎖襯底腔室中抽出的流動路 徑,且所述第二環形凹槽至少部分界定用于將氣體排入所述下方的下部負載鎖腔室 中的流動路徑。
9.根據權利要求8所述的堆疊式負載鎖組合件,其進一步包含用于將襯底轉移進入和 /或離開所述上部負載鎖的至少一個上部孔徑和用于將襯底轉移進入和/或離開所述 下部負載鎖的至少一個下部孔徑,
其中所述至少一個上部孔徑與所述至少一個下部孔徑分離開不大于100mm的垂 直距離。
10.根據權利要求8所述的堆疊式負載鎖組合件,其中所述組合件的高度不大于10英 寸腔室高度。
11.根據權利要求8所述的堆疊式負載鎖組合件,其進一步包含一個以上上部負載鎖蓋 以用于覆蓋所述一個以上上部負載鎖腔室,其中每一蓋包含環形凹槽,所述環形凹 槽至少部分界定用于將氣體排入所述下部負載鎖腔室的流動路徑。
12.一種使用負載鎖設備在大氣環境與真空環境之間轉移襯底的方法,所述負載鎖設備 包含:下部負載鎖,其具有一個以上腔室,每一腔室具有襯底支撐件和可密封門, 所述可密封門可選擇性地打開以用于在所述腔室與轉移模塊機械手之間轉移襯底; 上部負載鎖,其安置在所述下部負載鎖上方,所述上部負載鎖具有一個以上腔室, 每一腔室具有襯底支撐件和可密封門,所述可密封門可選擇性地打開以用于在所述 腔室與轉移模塊機械手之間轉移晶片,所述方法包含:
在上部負載鎖襯底水平轉移平面上在所述大氣環境與所述一個以上上部負載鎖 腔室之間轉移一個以上襯底;
在下部負載鎖襯底水平轉移平面上在所述真空環境與所述一個以上下部負載鎖 腔室之間轉移一個以上襯底;
其中所述上部負載鎖與所述下部負載鎖隔離開,且所述上部與下部襯底水平轉移 平面之間的垂直距離不大于100mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





