[發(fā)明專利]等離子顯示板

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810178400.6
• 申請(qǐng)日: 2008-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101436502A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳圣煥;樸記洛;裵鐘運(yùn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂(lè)金電子（南京）等離子有限公司
• 主分類號(hào): H01J17/49
• 分類號(hào): H01J17/49;H01J17/16
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙）
• 代理人: 陳 揚(yáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明為等離子顯示(PlasmaDisplay)板相關(guān)發(fā)明，更具體地說(shuō)是在高清晰度下防止障壁倒塌的等離子顯示板相關(guān)發(fā)明。

背景技術(shù)

通常，等離子顯示板由形成在上部基板與下部基板之間的障壁組成一個(gè)單位串，各串內(nèi)充入了氖(Ne)，氦(He)，或氖及氦的混合氣體(Ne+He)等主放電氣體和少量氙(Xe)的惰性氣體。通過(guò)高頻電壓放電時(shí)，惰性氣體產(chǎn)生真空紫外線(VacuumUltravioletrays)，使形成在障壁之間的熒光體發(fā)光，從而顯現(xiàn)圖像。因這種等離子顯示板可具有輕薄的結(jié)構(gòu)，因此作為第二代顯示裝置備受注目。

等離子顯示板的障壁形成在板的上部基板和下部基板之間，劃分放電串。障壁可以同時(shí)形成在掃描電極和尋址電極交叉的區(qū)域和不交叉的區(qū)域。

等離子顯示板逐漸變薄同時(shí)趨于大型化，與FullHD一樣，為了支持高清晰度，單位放電串的大小變小的同時(shí)障壁寬度也變窄。障壁寬度變窄時(shí)，對(duì)沖擊或振動(dòng)承受能力會(huì)降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供，高清晰度下防止障壁由于振動(dòng)或沖擊而倒塌的等離子顯示板。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種等離子顯示板：包括：上部基板，形成在上述上部基板上的至少有千個(gè)的第1電極，形成在上述上部基板上，與上述第1電極發(fā)生面放電的第2電極，對(duì)置配置在上述上部基板的下部基板，形成在上述下部基板上，與上述第1電極發(fā)生對(duì)置放電的第3電極，及形成在上述下部基板上，劃分放電串，在上述第1電極和上述第3電極交叉的區(qū)域中的第1平均寬度，與上述第1電極不與上述第3電極交叉的區(qū)域中的第2平均寬度不同的多個(gè)障壁。

有益效果：本發(fā)明通過(guò)不同設(shè)置掃描電極和尋址電極交叉的區(qū)域的障壁寬度和掃描電極和尋址電極不交叉的區(qū)域的障壁寬度，從而防止障壁倒塌。尤其支持高清晰度時(shí)，障壁寬度比通常寬度變窄，保護(hù)障壁受到生產(chǎn)工序或移動(dòng)過(guò)程中沖擊或振動(dòng)的障壁的效果。而且，防止障壁由于上部基板和下部基板的接合而倒塌，障壁的交叉點(diǎn)支點(diǎn)區(qū)域和除此之外區(qū)域之間障壁寬度不同，具有防止板由于上部基板和下部基板的接合而彎曲的效果。

附圖說(shuō)明

圖1為顯示本發(fā)明的等離子顯示板一實(shí)例的斜視圖；

圖2為顯示等離子顯示板的電極配置的一實(shí)例的截面圖；

圖3為顯示將一個(gè)幀(frame)分為多個(gè)子字段(subfield)時(shí)分驅(qū)動(dòng)等離子顯示板的方法的一實(shí)例的時(shí)序圖；

圖4為顯示，針對(duì)圖3所示的被劃分的一個(gè)子字段中，驅(qū)動(dòng)等離子顯示板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的第1實(shí)例的時(shí)序圖；

圖5為顯示本發(fā)明的等離子顯示板邊緣位置的平面圖；

圖6為本發(fā)明一實(shí)例的障壁和電極配置相關(guān)平面圖；

圖7為圖6的橫向障壁和縱向障壁交叉的支點(diǎn)的平面圖。

附圖中主要部分符號(hào)說(shuō)明：

110：縱向障壁???120：橫向障壁

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步的說(shuō)明：

圖1為顯示本發(fā)明的等離子顯示板一實(shí)例的斜視圖。

如圖1所示，等離子顯示板包括形成在上部基板10上的作為維持電極對(duì)的掃描電極11及維持電極(12)，和形成在下部基板20上的尋址電極22。

上述維持電極對(duì)(11，12)通常包括由銦錫氧化物(Indium-Tin-Oxide；ITO)組成的透明電極(11a，12a)和總線電極(11b，12b)。上述總線電極(11b，12b)可以采用銀(Ag)，鉻(Cr)等的金屬或鉻/銅/鉻(Cr/Cu/Cr)的層積型或鉻/鋁/鉻(Cr/Al/Cr)的層積型。總線電極(11b，12b)形成在透明電極(11a，12a)上，起到減少電阻較高的透明電極(11a，12a)引起的電壓下降的作用。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例，維持電極對(duì)(11，12)不僅可以采用層積透明電極(11a，12a)和總線電極(11b，12b)的結(jié)構(gòu)，也可以不設(shè)透明電極(11a，12a)只以總線電極(11b，12b)組成。這種結(jié)構(gòu)不采用透明電極(11a，12a)，因此具有降低基板制造單價(jià)的優(yōu)點(diǎn)。用在這種總線電極(11b，12b)除了上述列舉的材料之外也可以采用感光性材料等多種材料。

掃描電極11及維持電極12的透明電極(11a，12a)和總線電極(11b，11c)之間排列了吸收上部基板10外部產(chǎn)生的外部光線，減少反射，具有切斷光線功能和提高上部基板10的色飽和度(purity)，和對(duì)比度的黑色矩陣(BlackMatrix，BM，15)。