[發(fā)明專利]電處理輪廓控制

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810175701.3
• 申請日: 2006-01-24
• 公開（公告）號: CN101480743A
• 公開（公告）日: 2009-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·P·馬內(nèi)斯;V·佳爾布特;Y·王;A·迪布施特;D·J·K·奧爾加多;L-Y·陳
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料股份有限公司
• 主分類號: B23H5/08
• 分類號: B23H5/08;B24B37/04;C25F7/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陸 嘉

1.一種研磨基材的方法，包括：

將基材的一表面抵靠一研磨表面；

將電解液流過研磨表面，以建立穿過位于基材和一電極之間的電解液的導(dǎo)電路徑；

相對于該電極對該基材施加偏壓，其中相對于該基材對該電極施加負(fù)偏壓；以及

在所述基材的邊緣的外側(cè)維持該電解液的電壓的過渡梯度。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述維持電解液的電壓的過渡梯度包括下列之一：

(a)相對于該基材對放置于該基材外側(cè)的固持環(huán)施加正偏壓；

(b)相對于該基材對放置于該基材外側(cè)的最外側(cè)電極施加正偏壓；

(c)(a)和(b)的組合。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電極包括數(shù)個同心的電極區(qū)段，以及相對于該電極對該基材施加偏壓包括對所述電極的一個或多個內(nèi)側(cè)電極區(qū)段施加負(fù)偏壓。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，維持過渡梯度包括對所述電極的最外側(cè)電極區(qū)段施加正偏壓。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，該正偏壓是小于5V的直流偏壓。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，該正偏壓是小于2V的直流偏壓。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，維持過渡梯度包括對放置于該基材的邊緣外側(cè)的固持環(huán)的導(dǎo)電部分施加正偏壓。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，該正偏壓是在0到3V的直流偏壓之間。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該正偏壓是1V的直流偏壓。

10.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

通過監(jiān)視下述之一或它們的組合來確定研磨的結(jié)束點：研磨時間、渦流(eddy?current)、干涉計、光學(xué)傳感器、電壓、電荷、電流。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括：結(jié)束點被確定時終止研磨。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括：結(jié)束點被確定為移除殘余導(dǎo)電物質(zhì)時對基材進(jìn)行過研磨。

13.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，將電解液流過研磨表面包括將電解液流過貫穿形成在該研磨表面上的數(shù)個孔。

14.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，相對于該電極對該基材施加偏壓包括分別控制施加于該電極的每一個內(nèi)側(cè)的電極區(qū)段上的偏壓。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，施加于該電極的每一個內(nèi)側(cè)的電極區(qū)段上的偏壓是在0到7V直流偏壓之間。

16.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，維持過渡梯度包括：

在相對于該基材對放置于該基材外側(cè)的固持環(huán)施加正偏壓時，倒轉(zhuǎn)施加到該電極的最外側(cè)區(qū)段上的偏壓的極性。