[發明專利]薄膜晶體管的制造方法和使用了網目調型掩模的曝光方法

無效

• 申請號: 200810175143.0
• 申請日: 2006-04-03
• 公開（公告）號: CN101452858A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: 山口弘高;松村正清;谷口幸夫
• 申請（專利權）人: 株式會社液晶先端技術開發中心
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/027;G03F7/20
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1.一種薄膜晶體管的制造方法，包含經掩模將來自光源的光線入射到光學系統上并將經過了上述光學系統的光線照射到在玻璃基板的表面上設置的感光材料膜上以曝光該感光材料膜的工序，其特征在于：

上述光線是i線，

上述掩模是遮光性的鉻掩模，用于形成在上述玻璃基板上形成的薄膜晶體管的接觸孔的、由上述鉻掩模形成的掩模圖案是長方形狀的光透過區域和光遮蔽區域的某一方，

上述光學系統是等倍率投影光學系統，在將k1定為具有0.40至0.43的值的系數并將R定為上述長方形的短邊方向的長度尺寸時，具有利用下式得到的數值孔徑NA2：

NA2＝k1×0.365/R。

2.一種薄膜晶體管的制造方法，包含經掩模將來自光源的光線入射到光學系統上并將經過了上述光學系統的光線照射到在玻璃基板上設置的感光材料膜上以曝光該感光材料膜的工序，其特征在于：

上述光線是i線，

上述掩模是網目調型掩模，用于形成在上述玻璃基板上形成的薄膜晶體管的接觸孔的、上述網目調型掩模的掩模圖案是長方形狀的光透過區域和光遮蔽區域的某一方，

上述光學系統是等倍率投影光學系統，在將k1定為具有0.34至0.41的值的系數并將R定為上述長方形的短邊方向的長度尺寸時，具有利用下式得到的數值孔徑NA2：

NA2＝k1×0.365/R。

3.如權利要求1中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：

用于形成上述接觸孔的上述掩模圖案以上述長方形的長邊方向的間距大于等于長邊的長度尺寸與短邊的長度尺寸之和且短邊方向的間距大于等于短邊的長度尺寸的3倍的周期性圖案配置上述光透過區域和光遮蔽區域的某一方而構成。

4.如權利要求2中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：

用于形成上述接觸孔的上述掩模圖案以上述長方形的長邊方向的間距大于等于長邊的長度尺寸與短邊的長度尺寸之和且短邊方向的間距大于等于短邊的長度尺寸的3倍的周期性圖案配置上述光透過區域和光遮蔽區域的某一方而構成。

5.如權利要求1中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：

利用上述感光材料膜的曝光后的顯影在由該感光材料膜形成的抗蝕劑膜上與上述掩模圖案對應地形成的接觸孔具有至少使各角部成為弧狀的長方形的平面形狀。

6.如權利要求2中所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：

利用上述感光材料膜的曝光后的顯影在由該感光材料膜形成的抗蝕劑膜上與上述掩模圖案對應地形成的接觸孔具有至少使各角部成為弧狀的長方形的平面形狀。

7.一種使用了網目調型的移相掩模的曝光方法，其中，經網目調型掩模將來自曝光用光源的光線入射到光學系統上并將經過了上述光學系統的上述光線照射到由玻璃基板上的感光材料構成的抗蝕劑層上進行曝光，其特征在于：

上述光線是i線，

上述網目調型掩模具有線條圖案，

上述光學系統是等倍率投影光學系統，在將k1定為具有0.41至0.44的值的系數并將R定為上述抗蝕劑層上形成的線條的寬度時，具有利用下式得到的數值孔徑NA2：

NA2＝k1×0.365/R。

8.如權利要求7中所述的使用了網目調型的移相掩模的曝光方法，其特征在于：

上述i線的相干因子σ是0.75至0.85。

9.一種使用了網目調型掩模的曝光方法，其中，經網目調型掩模將來自曝光用光源的光線入射到光學系統上并將經過了上述光學系統的上述光線照射到由玻璃基板上的感光材料構成的抗蝕劑層上進行曝光，其特征在于：

上述光線是i線，

上述網目調型掩模具有接觸孔圖案，

上述光學系統是等倍率投影光學系統，在將k1定為具有0.48至0.5的值的系數并將R定為上述抗蝕劑層上形成的孔的直徑時，具有利用下式得到的數值孔徑NA2：

NA2＝k1×0.365/R。

10.如權利要求9中所述的使用了網目調型的移相掩模的曝光方法，其特征在于：

上述i線的相干因子σ是0.6至0.8。