[發(fā)明專利]等離子體系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810173139.0
• 申請日: 2008-10-30
• 公開（公告）號: CN101730374A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉志宏;蔡陳德;蘇浚賢;許文通;蔡禎輝;黃駿
• 申請（專利權(quán)）人: 財團法人工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號: H05H1/26
• 分類號: H05H1/26;H05H1/28;H01L21/00;H01J37/32
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種等離子體系統(tǒng)，用以產(chǎn)生一等離子體，所述等離子體系統(tǒng)包括：

一第一管體，該第一管體具有一第一進氣口、一第一等離子體噴口、 一第一端面及一第二端面，該第一進氣口用以讓一等離子體氣體通過以進 入至該第一管體內(nèi)，該第一等離子體噴口貫穿該第一管體的管壁，該第一 等離子體噴口用以讓所述等離子體通過以噴出至該第一管體外；

一第一正電極，具有一第一正電極側(cè)面及一第一正電極表面，第一正 電極側(cè)面連接于該第一正電極表面，該第一正電極側(cè)面面對且鄰近于該第 一管體；以及

一第一負電極，具有一第一負電極側(cè)面及一第一負電極表面，該第一 負電極側(cè)面連接于該第一負電極表面，該第一負電極側(cè)面面對且鄰近于該 第一管體，該第一負電極表面與該第一正電極表面相距一第一預(yù)設(shè)距離；

其中，該第一正電極及該第一負電極位于該第一端面與該第二端面之 間，而至少部份的該第一等離子體噴口位于該第一正電極與該第一負電極 之間；

其中該第一等離子體噴口不朝向該第一正電極與該第一負電極。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中該第一正電極側(cè)面垂直于 該第一正電極表面，且該第一負電極側(cè)面垂直于該第一負電極表面。

3.如權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中該第一正電極側(cè)面及該第 一負電極側(cè)面接觸于該第一管體。

4.如權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中該第一正電極側(cè)面面對該 第一管體的一第一部分，該第一管體還包括一第一延伸部分，該第一延伸 部分是第一部分的延伸，該第一部分的面積是不小于該第一延伸部份的面 積。

5.如權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中該第一負電極側(cè)面面對該 第一管體的一第二部分，該第一管體更包括一第二延伸部份，該第二延伸 部份是該第二部份的延伸，該第二部分的面積是不小于該第二延伸部份的 面積。

6.如權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中該第一等離子體噴口的形 狀為一圓形。

7.如權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中該第一等離子體噴口的外 型為一長條型。

8.如權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中該第一正電極側(cè)面輪廓形 狀相似于面對的該第一管體的輪廓形狀。

9.如權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中該第一負電極側(cè)面的輪廓 形狀相似于面對的該第一管體的輪廓形狀。

10.如權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中該第一正電極更具有一 正電極貫穿部及相對該第一正電極表面的一第二正電極表面，該第一正電 極側(cè)面連接該第二正電極表面，該正電極貫穿部貫穿該第一正電極表面與 該第二正電極表面，該第一正電極側(cè)面為該正電極貫穿部的內(nèi)側(cè)表面。

11.如權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中該第一負電極更具有一 負電極貫穿部及相對該第一負電極表面的一第二負電極表面，該第一負電 極側(cè)面連接該第二負電極表面，該負電極貫穿部貫穿該第一負電極表面與 該第二負電極表面，該第一負電極側(cè)面為該負電極貫穿部的內(nèi)側(cè)表面。

12.如權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中該第一進氣口位于該第 一端面與該第二端面之一。

13.如權(quán)利要求12所述的等離子體系統(tǒng)，其中該第一管體更具有一第 二進氣口，位于該第一端面與該第二端面的另一面，用以讓所述等離子體 氣體通過而進入至該第一管體內(nèi)。

14.如權(quán)利要求12所述的等離子體系統(tǒng)，其中該第一端面與該第二端 面的另一面是封閉。