[發(fā)明專利]顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動方法以及電子設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810169123.2 | 申請日: | 2008-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN101419776A | 公開(公告)日: | 2009-04-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山下淳一;內(nèi)野勝秀 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | G09G3/30 | 分類號: | G09G3/30;G09G3/20;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 黃小臨 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 驅(qū)動 方法 以及 電子設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動方法以及電子設(shè)備、特別地涉及包含電光元件的像素以行列狀(矩陣狀)配置而成的平面型(flat?panel型)的顯示裝置、該顯示裝置的驅(qū)動方法以及具有該顯示裝置的電子設(shè)備。
背景技術(shù)
近年來,在進(jìn)行圖像顯示的顯示裝置的領(lǐng)域,迅速普及包含發(fā)光元件像素(像素電路)以行列狀配置而成的平面型的顯示裝置。作為平面型的顯示裝置,開發(fā)使用了根據(jù)流過設(shè)備的電流值而發(fā)光亮度變化的所謂的電流驅(qū)動型的電光元件、例如利用了對有機薄膜施加電場則發(fā)光的現(xiàn)象的有機EL(電致發(fā)光:Electro?Luminescence)元件的有機EL顯示裝置,并發(fā)展其商品化。
有機EL顯示裝置具有以下的特點。即,由于有機EL元件能夠以10V以下的施加電壓來驅(qū)動因此低耗電,此外由于是自發(fā)光元件,因此與通過對包含液晶單元的每個像素由該液晶單元來控制來自光源(背光燈)的光強度從而顯示圖像的液晶顯示裝置相比,圖像的可見度高,而且由于無需液晶顯示裝置所需的背光燈等照明部件,因此容易實現(xiàn)輕量化和薄型化。另外,由于有機EL元件的響應(yīng)速度為數(shù)μsec左右,非常快,因此不發(fā)生運動圖像顯示時的余像。
在有機EL顯示裝置中,與液晶顯示裝置相同地,作為其驅(qū)動方法,能夠采用單純(無源:passive)矩陣方式和有源矩陣(active?matrix)方式。其中,單純矩陣方式的顯示裝置雖然結(jié)構(gòu)簡單,但電光元件的發(fā)光期間根據(jù)掃描線(即、像素數(shù))的增加而減少,因此存在難以實現(xiàn)大型且高精度的顯示裝置等問題。
因此,近年來,盛行通過設(shè)置在與電光元件同一像素電路內(nèi)的有源元件,例如絕緣柵極型場效應(yīng)晶體管(一般為TFT(薄膜晶體管:Thin?FilmTransistor)),從而控制流過該電光元件的電流的有源矩陣方式的顯示裝置的開發(fā)。有源矩陣方式的顯示裝置由于電光元件經(jīng)過1幀的期間持續(xù)發(fā)光,因此容易實現(xiàn)大型且高精度的顯示裝置。
但是,一般,已知有機EL元件的I—V特性(電流—電壓特性)隨著時間的經(jīng)過而劣化(即,經(jīng)時劣化)。在使用N溝道型的TFT作為用于電流驅(qū)動有機EL元件的晶體管(以下,稱為“驅(qū)動晶體管”)的像素電路中,由于在驅(qū)動晶體管的源極側(cè)連接有機EL元件,因此若有機EL元件的I—V特性經(jīng)時劣化,則驅(qū)動晶體管的柵極—源極間電壓Vgs變化,其結(jié)果,有機EL元件的發(fā)光亮度也變化。
對此更具體地進(jìn)行說明。驅(qū)動晶體管的源極電位由該驅(qū)動晶體管和有機EL元件的動作點來決定。且,若有機EL元件的I—V特性劣化,則導(dǎo)致驅(qū)動晶體管和有機EL元件的動作點變動,因此即使對驅(qū)動晶體管的柵極施加相同的電壓,驅(qū)動晶體管的源極電位也變化。由此,由于驅(qū)動晶體管的源極—柵極間電壓Vgs變化,因此流過該驅(qū)動晶體管的電流值變化。其結(jié)果,流過有機EL元件的電流值也變化,因此,有機EL元件的發(fā)光亮度變化。
此外,在使用了多晶硅(poly?silicon)TFT的像素電路中,除了有機EL元件的I—V特性的經(jīng)時劣化以外,驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth和構(gòu)成驅(qū)動晶體管的溝道的半導(dǎo)體薄膜的遷移率(以下、稱為“驅(qū)動晶體管的遷移率”)μ隨著時間而變化,或者由于制造工藝的偏差而閾值電壓Vth和遷移率μ對每個像素而不同(每個晶體管特性具有偏差)。
由于若驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth和遷移率μ對每個像素不同,則對每個像素流過驅(qū)動晶體管的電流值產(chǎn)生偏差,因此即使在驅(qū)動晶體管的柵極施加在像素之間相同的電壓,對有機EL元件的發(fā)光亮度在像素之間產(chǎn)生偏差,其結(jié)果,畫面的一致性(uniformity)受到破壞。
因此,為了即使有機EL元件的I—V特性經(jīng)時劣化,或者驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth和遷移率μ經(jīng)時變化,也不受其影響地將有機EL元件的發(fā)光亮度保持一定,采用以下結(jié)構(gòu):即使每個像素電路具有對于有機EL元件的特性變動的補償功能,而且具有對于驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth的變動的校正(以下,稱為“閾值校正”)、和對于驅(qū)動晶體管的遷移率μ的變動的校正(以下,稱為“遷移率校正”)的各個校正功能(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
由此,通過使各個像素電路具有對于有機EL元件的特性變動的補償功能以及對于驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth和遷移率μ的變動的校正功能,從而即使有機EL元件的I—V特性經(jīng)時劣化,或者驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth和遷移率μ經(jīng)時變化,也能夠不受其影響地將有機EL元件的發(fā)光亮度保持一定。
專利文獻(xiàn)1:(日本)特開2006-133542號公報
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