[發明專利]用于形成薄膜晶體管液晶顯示裝置中的電路的蝕刻劑組合物

有效

• 申請號: 200810168643.1
• 申請日: 2008-09-17
• 公開（公告）號: CN101392375A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 金南緒;姜東滸;李騏范;曺三永
• 申請（專利權）人: 株式會社東進世美肯
• 主分類號: C23F1/16
• 分類號: C23F1/16
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司
• 代理人: 鐘 晶

1.一種蝕刻劑組合物，基于所述蝕刻劑組合物的總重量，包含：55-75wt％的磷酸、0.75-1.99wt％的硝酸、10-20wt％的醋酸、0.05-0.5wt％的Mo蝕刻控制劑、0.02-3wt％的含硼化合物和余量的水，所述Mo蝕刻控制劑包括至少一種選自MH₂PO₄、M₂HPO₄、M₃PO₄、MHSO₄、M₂SO₄、CH₃COOM、MHCO₃、M₂CO₃、MNO₃和M₂C₂O₄的鹽，其中M為NH₄、Na或K，所述含硼化合物包括至少一種選自H₃BO₃、B₂O₃、KBO₂、NaBO₂、HBO₂、H₂B₄O₇、Na₂B₄O₇·10H₂O和KB₅O₈·4H₂O的化合物。

2.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中，所述Mo蝕刻控制劑包括至少一種選自KNO₃、CH₃COOK、NH₄NO₃、CH₃COONH₄、KH₂PO₄、(NH₄)H₂PO₄和KHSO₄的鹽。

3.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中，所述Mo蝕刻控制劑為KNO₃或CH₃COONH₄。

4.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中，所述含硼化合物是在蝕刻劑組合物中分解且形成硼離子或含硼離子的化合物。

5.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中，所述含硼化合物為H₃BO₃。