[發(fā)明專利]一種硅控整流器及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810168280.1
• 申請(qǐng)日: 2008-10-10
• 公開（公告）號(hào): CN101728428A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石俊;夏洪旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 和艦科技(蘇州)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/74
• 分類號(hào): H01L29/74;H01L21/332
• 代理公司: 北京連和連知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11278
• 代理人: 張春媛

1.一種硅控整流器，其特征在于包括

半導(dǎo)體襯底，

該半導(dǎo)體襯底上方的N阱和P阱；

形成于N阱中的第一P+摻雜區(qū)和第一N+摻雜區(qū)；

形成于P阱中的第二P+摻雜區(qū)和第二N+摻雜區(qū)；

形成于上述N阱與P阱相接合的位置的第三P+摻雜區(qū)或第三N+摻雜區(qū)；以及

該第三P+摻雜區(qū)或第三N+摻雜區(qū)下方的N阱或P阱中的第四N-摻雜區(qū)或第四P-摻雜區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅控整流器，其特征在于上述第四N-摻雜區(qū)或第四P-摻雜區(qū)通過植入的方式形成，其植入的能量和劑量根據(jù)所需的觸發(fā)電壓值決定。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅控整流器，其特征在于各P+摻雜區(qū)和N+摻雜區(qū)之間具有隔離結(jié)構(gòu)，第三P+摻雜區(qū)或第三N+摻雜區(qū)與其相鄰的摻雜區(qū)之間具有隔離結(jié)構(gòu)。

4.一種形成如權(quán)利要求1所述的硅控整流器的方法，其特征在于包括

提供半導(dǎo)體襯底，

在上述半導(dǎo)體襯底上方形成多個(gè)阱區(qū)，該多個(gè)阱區(qū)包括N阱和P阱；

在上述多個(gè)阱區(qū)中進(jìn)行淺槽隔離結(jié)構(gòu)；

在上述多個(gè)阱區(qū)中的至少一個(gè)中形成由淺槽隔離結(jié)構(gòu)分隔的至少一個(gè)第一P+摻雜區(qū)和至少一個(gè)第一N+摻雜區(qū)，以及上述多個(gè)阱區(qū)中的至少一個(gè)中形成由淺槽隔離結(jié)構(gòu)分隔的至少一個(gè)第二P+摻雜區(qū)和至少一個(gè)第二N+摻雜區(qū)；

在上述N阱與P阱相接合的位置形成第三P+摻雜區(qū)或第三N+摻雜區(qū)，該第三P+摻雜區(qū)或該第三N+摻雜區(qū)與相鄰的摻雜區(qū)之間由淺槽隔離結(jié)構(gòu)隔離；以及

在該第三P+摻雜區(qū)或第三N+摻雜區(qū)下方的N阱或P阱中形成第四N-摻雜區(qū)或第四P-摻雜區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于上述第四N-摻雜區(qū)或第四P-摻雜區(qū)通過植入的方式形成，其植入的能量和劑量根據(jù)所需的觸發(fā)電壓值決定。