[發(fā)明專利]光敏層的圖案化方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810168204.0
• 申請日: 2008-09-25
• 公開（公告）號: CN101551603A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陸曉慈;陳桂順;吳小真;張尚文;劉家助
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/36
• 分類號: G03F7/36;G03F7/26;H01L21/027
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所
• 代理人: 梁 永;馬佑平

1.一種在半導體制造中用于圖案化光敏層的方法，該方法包括：

提供一個其上形成有第一層的襯底；

利用陽離子處理包括所述第一層的襯底；

在所述第一層上形成第一光敏層；

圖案化所述第一光敏層以形成第一圖案；

利用陽離子處理所述第一圖案；

在所述已處理第一圖案上形成第二光敏層；

圖案化所述第二光敏層以形成第二圖案；以及

使用所述第一圖案與所述第二圖案作為掩膜處理所述第一層，其中所 述利用陽離子處理包括所述第一層的襯底的步驟與所述利用陽離子處理所 述第一圖案的步驟包括執(zhí)行陽離子注入處理。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述陽離子注入處理使用選自以下 元素組的陽離子：B、H、Al、Ga、In、N、P、As、Sb、C、Si、Ge和Sn。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述陽離子注入處理包括1E9到大 約1E15cm^-2范圍之間的劑量；所述陽離子注入處理包括1keV到1M?keV 范圍之間的能量。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述利用陽離子處理包括所述第一 層的襯底的步驟與所述利用陽離子處理所述第一圖案的步驟包括執(zhí)行陽離 子等離子體處理，其中所述陽離子等離子體處理使用選自以下元素組的陽 離子：B、H、He、C、N、O、F、Cl、Br、Ne和Ar。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述提供具有第一層的所述襯底的 步驟包括配置所述第一層選自以下元素組：硅、二氧化硅、氮氧化硅、有 機材料、導體材料及低介電常數(shù)材料。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述使用所述第一圖案與所述第二 圖案作為掩膜處理所述第一層的步驟包括蝕刻所述第一層以形成線狀圖案 或者孔狀圖案。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述提供具有第一層的所述襯底的 步驟還包括在所述第一層上提供抗反射涂層。

8.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供一個襯底；

在所述襯底上形成第一光敏層；

利用陽離子處理所述第一光敏層；

圖案化所述第一光敏層，以在所述襯底上形成第一圖案；

利用陽離子處理所述第一圖案；

在所述襯底和所述第一圖案上形成第二光敏層；

圖案化所述第二光敏層，以在所述襯底上形成第二圖案；以及

使用所述第一圖案與所述第二圖案作為掩膜處理所述襯底；

其中所述利用陽離子處理所述第一光敏層和所述第一圖案的步驟包括 執(zhí)行陽離子注入處理或陽離子等離子體處理。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述利用陽離子處理所述第一光敏 層和所述第一圖案的步驟包括利用硼離子或氫離子處理所述第一光敏層和 所述第一圖案。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述陽離子注入處理使用選自以 下元素組的元素：Al、Ga、In、N、P、As、Sb、C、Si、Ge和Sn；而所述 陽離子等離子體處理使用選自以下元素組的元素：He、C、N、O、F、Cl、 Br、Ne、Ar。

11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述提供所述襯底的步驟還包括 在所述襯底上提供抗反射涂層。

12.一種用于半導體制造的方法，包括：

提供一個其上形成有處理層的襯底；

通過執(zhí)行陽離子注入處理或陽離子等離子體處理來處理包括所述處理 層的襯底；

在所述處理層上形成第一光致抗蝕劑層；

圖案化所述第一光致抗蝕劑層以形成第一圖案；

處理所述第一圖案；

在所述襯底和所述第一圖案上形成第二光致抗蝕劑層；

圖案化所述第二光致抗蝕劑層以形成第二圖案；以及

使用所述第一圖案與所述第二圖案作為掩膜處理所述處理層。