[發明專利]H橋電路的新柵極驅動方法

有效

• 申請號: 200810168145.7
• 申請日: 2008-09-28
• 公開（公告）號: CN101686046A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: 鄭健華;李菁;尉林鵬;趙宏偉;李蔚瑩
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H03K19/003
• 分類號: H03K19/003;H03K17/687
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉光明;穆德駿

1.一種H橋電路，包括：

第一PMOS（P溝道金屬氧化物半導體）器件；

第一NMOS（N溝道金屬氧化物半導體）器件，所述第一PMOS 器件和所述第一NMOS器件串聯連接于電源和地（GND）之間；

用于第一PMOS器件的柵極驅動器，連接到第一PMOS器件的柵 極；以及

用于第一NMOS器件的柵極驅動器電路，連接到第一NMOS器件 的柵極，其中，在H橋電路的死區時間期間，所述的用于第一NMOS 器件的柵極驅動器電路的輸出電壓為從0.1V到0.4V，并且

其中，所述的用于第一NMOS器件的柵極驅動器電路包括：

驅動器，具有輸出端；

放大器，具有電壓為從0.1V到0.4V的正相輸入端、連接到所述 第一NMOS器件的柵極的反相輸入端、輸出端；和

開關電路，其包括第一開關和第二開關，其中，所述驅動器的輸 出端經由所述第一開關提供到所述第一NMOS器件的柵極，所述放大 器的輸出端經由所述第二開關提供到所述第一NMOS器件的柵極，以 及

其中，在H橋電路的死區時間期間，所述第一開關斷開且所述第 二開關閉合。

2.如權利要求1所述的H橋電路，其中，所述的用于第一NMOS 器件的柵極驅動器電路的輸出電壓為0.4V。

3.如權利要求1所述的H橋電路，其中，所述放大器的反相輸入 端經由所述第二開關連接到所述第一NMOS器件的柵極。

4.如權利要求1所述的H橋電路，其中：

所述驅動器包括兩個預驅動器，所述第一開關包括兩個第一開關， 所述第二開關包括兩個第二開關，

所述的用于第一NMOS器件的柵極驅動器電路進一步包括串聯連 接于所述電源和所述地之間的第二PMOS器件和第二NMOS器件，

所述兩個預驅動器的輸出端分別經由所述兩個第一開關而連接到 所述第二PMOS器件的柵極和所述第二NMOS器件的柵極，

所述放大器的輸出端分別經由所述兩個第二開關而連接到所述第 二PMOS器件的柵極和所述第二NMOS器件的柵極，并且

所述的用于第一NMOS器件的柵極驅動器電路的輸出端設置于所 述第二PMOS器件和所述第二NMOS器件之間的連接點，并且所述放 大器的反相輸入端直接連接到所述第一NMOS器件的柵極。

5.一種用于H橋電路中的NMOS（N溝道金屬氧化物半導體）器 件的柵極驅動器電路，包括：

驅動器；

放大器，其中該放大器的正相輸入端的電壓為從0.1V到0.4V，且 該放大器的反相輸入端連接到第一NMOS器件的柵極；以及

開關電路，其包括第一開關和第二開關，其中，所述驅動器的輸 出端經由所述第一開關提供到所述第一NMOS器件的柵極，所述放大 器的輸出端經由所述第二開關連接到所述第一NMOS器件的柵極，

其中，在H橋電路的死區時間期間，所述第一開關斷開且所述第 二開關閉合。

6.如權利要求5所述的柵極驅動器電路，其中，所述放大器的反 相輸入端經由所述第二開關連接到所述第一NMOS器件的柵極。

7.如權利要求5所述的柵極驅動器電路，其中：

所述驅動器包括兩個預驅動器，所述第一開關包括兩個第一開關， 所述第二開關包括兩個第二開關，

所述柵極驅動器電路進一步包括串聯連接于電源和地之間的 PMOS（P溝道金屬氧化物半導體）器件和第二NMOS器件，

所述兩個預驅動器的輸出端分別經由所述兩個第一開關而連接到 所述PMOS器件的柵極和所述第二NMOS器件的柵極，

所述放大器的輸出端分別經由所述兩個第二開關而連接到所述 PMOS器件的柵極和所述第二NMOS器件的柵極，并且

所述柵極驅動器電路的輸出端設置于所述PMOS器件和所述第二 NMOS器件之間的連接點，并且所述放大器的反相輸入端直接連接到 所述第一NMOS器件的柵極。