[發(fā)明專利]光掩膜及光掩膜的制造方法、以及圖案轉(zhuǎn)印方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810168133.4
• 申請日: 2008-09-28
• 公開（公告）號: CN101398612A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 佐野道明
• 申請（專利權(quán)）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李香蘭

1.一種光掩膜，是液晶顯示裝置用的多灰度光掩膜，其在透明基 板上，具有由遮光部分、透光部分、和將掩膜使用時所使用的曝光光的 透過量減低給定量的半透光部分構(gòu)成的掩膜圖案，使用掩膜對被轉(zhuǎn)印體 照射曝光光時，根據(jù)部位的不同有選擇地減低對被轉(zhuǎn)印體的曝光光的照 射量，用于在被轉(zhuǎn)印體上的光致抗蝕劑上，形成包含殘膜值不同的部分 的所希望的轉(zhuǎn)印圖案，其中，

上述遮光部分，至少由遮光膜形成，

上述半透光部分，由至少透過曝光光的一部分的半透光膜形成，

并且，具有將電孤立的掩膜圖案間相互連接的導(dǎo)電性圖案，該導(dǎo)電 性圖案由形成上述半透光部分的半透光膜形成，并且具有1～5μm的 線寬。

2.一種光掩膜，是液晶顯示裝置用的多灰度光掩膜，其在透明基板 上，具有由遮光部分、透光部分、和將掩膜使用時所使用的曝光光的透 過量減低給定量的半透光部分構(gòu)成的掩膜圖案，使用掩膜對被轉(zhuǎn)印體照 射曝光光時，根據(jù)部位的不同有選擇地減低對被轉(zhuǎn)印體的曝光光的照射 量，用于在被轉(zhuǎn)印體上的光致抗蝕劑上，形成包含殘膜值不同的部分的 所希望的轉(zhuǎn)印圖案，其中，

上述透光部分，露出上述透明基板的表面而構(gòu)成，

上述半透光部分，由形成在透明基板上、具有導(dǎo)電性且透過曝光光 的一部分的半透光膜構(gòu)成，

上述遮光部分，在透明基板上由上述半透光膜和遮光膜依次形成而 構(gòu)成，

并且，具有將電孤立的掩膜圖案間相互連接的導(dǎo)電性圖案，該導(dǎo)電 性圖案由形成上述半透光部分的半透光膜形成，并且具有1～5μm的 線寬。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光掩膜，其特征在于，

上述導(dǎo)電性圖案是半透光性，且其具有的線寬，使其不會在對上述 光掩膜照射曝光光，將掩膜圖案轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上，對被轉(zhuǎn)印體上的抗 蝕劑進(jìn)行顯影，并形成抗蝕劑圖案時，出現(xiàn)在該抗蝕劑圖案中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光掩膜，其特征在于，

上述導(dǎo)電性圖案的部分，由曝光光的透過率為20％以上60％以下 的半透光膜形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光掩膜，其特征在于，

將連接掩膜圖案間的上述導(dǎo)電性圖案，設(shè)置多個。

6.一種液晶顯示裝置用的多灰度光掩膜的制造方法，使用在透明 基板上依次形成半透光膜和遮光膜而成的掩膜版，通過光刻法對上述半 透光膜和遮光膜分別進(jìn)行所希望的圖案形成，具有形成由遮光部分、透 光部分、和將掩膜使用時所使用的曝光光的透過量減低給定量的半透光 部分構(gòu)成的掩膜圖案的工序，其中，

在上述半透光膜的圖案形成時，形成將電孤立的半透光膜圖案相互 連接的、給定線寬的導(dǎo)電性圖案，該導(dǎo)電性圖案由形成上述半透光部分 的半透光膜形成，并且具有1～5μm的線寬。

7.一種圖案轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，

使用權(quán)利要求1或2所述的光掩膜或者用權(quán)利要求6所述的制造方 法得到光掩膜，對被轉(zhuǎn)印體照射曝光光，并在被轉(zhuǎn)印體上形成所希望的 轉(zhuǎn)印圖案。