[發明專利]光掩膜及光掩膜的制造方法、以及圖案轉印方法無效
| 申請號: | 200810168133.4 | 申請日: | 2008-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN101398612A | 公開(公告)日: | 2009-04-01 |
| 發明(設計)人: | 佐野道明 | 申請(專利權)人: | HOYA株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 李香蘭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩膜 制造 方法 以及 圖案 | ||
1.一種光掩膜,是液晶顯示裝置用的多灰度光掩膜,其在透明基 板上,具有由遮光部分、透光部分、和將掩膜使用時所使用的曝光光的 透過量減低給定量的半透光部分構成的掩膜圖案,使用掩膜對被轉印體 照射曝光光時,根據部位的不同有選擇地減低對被轉印體的曝光光的照 射量,用于在被轉印體上的光致抗蝕劑上,形成包含殘膜值不同的部分 的所希望的轉印圖案,其中,
上述遮光部分,至少由遮光膜形成,
上述半透光部分,由至少透過曝光光的一部分的半透光膜形成,
并且,具有將電孤立的掩膜圖案間相互連接的導電性圖案,該導電 性圖案由形成上述半透光部分的半透光膜形成,并且具有1~5μm的 線寬。
2.一種光掩膜,是液晶顯示裝置用的多灰度光掩膜,其在透明基板 上,具有由遮光部分、透光部分、和將掩膜使用時所使用的曝光光的透 過量減低給定量的半透光部分構成的掩膜圖案,使用掩膜對被轉印體照 射曝光光時,根據部位的不同有選擇地減低對被轉印體的曝光光的照射 量,用于在被轉印體上的光致抗蝕劑上,形成包含殘膜值不同的部分的 所希望的轉印圖案,其中,
上述透光部分,露出上述透明基板的表面而構成,
上述半透光部分,由形成在透明基板上、具有導電性且透過曝光光 的一部分的半透光膜構成,
上述遮光部分,在透明基板上由上述半透光膜和遮光膜依次形成而 構成,
并且,具有將電孤立的掩膜圖案間相互連接的導電性圖案,該導電 性圖案由形成上述半透光部分的半透光膜形成,并且具有1~5μm的 線寬。
3.根據權利要求1或2所述的光掩膜,其特征在于,
上述導電性圖案是半透光性,且其具有的線寬,使其不會在對上述 光掩膜照射曝光光,將掩膜圖案轉印到被轉印體上,對被轉印體上的抗 蝕劑進行顯影,并形成抗蝕劑圖案時,出現在該抗蝕劑圖案中。
4.根據權利要求1或2所述的光掩膜,其特征在于,
上述導電性圖案的部分,由曝光光的透過率為20%以上60%以下 的半透光膜形成。
5.根據權利要求1或2所述的光掩膜,其特征在于,
將連接掩膜圖案間的上述導電性圖案,設置多個。
6.一種液晶顯示裝置用的多灰度光掩膜的制造方法,使用在透明 基板上依次形成半透光膜和遮光膜而成的掩膜版,通過光刻法對上述半 透光膜和遮光膜分別進行所希望的圖案形成,具有形成由遮光部分、透 光部分、和將掩膜使用時所使用的曝光光的透過量減低給定量的半透光 部分構成的掩膜圖案的工序,其中,
在上述半透光膜的圖案形成時,形成將電孤立的半透光膜圖案相互 連接的、給定線寬的導電性圖案,該導電性圖案由形成上述半透光部分 的半透光膜形成,并且具有1~5μm的線寬。
7.一種圖案轉印方法,其特征在于,
使用權利要求1或2所述的光掩膜或者用權利要求6所述的制造方 法得到光掩膜,對被轉印體照射曝光光,并在被轉印體上形成所希望的 轉印圖案。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





