[發明專利]微影雙重圖形成形方法

有效

• 申請號: 200810167939.1
• 申請日: 2008-10-16
• 公開（公告）號: CN101446760A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發明（設計）人: 許峰誠;陳俊光
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/26;G03F7/16;H01L21/027
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 壽 寧;張華輝

技術領域

本發明涉及一種微影圖形成形，特別是涉及一種微影雙重圖形成形方 法。

背景技術

半導體技術在現代仍然持續地朝著更小的尺寸在邁進。近年來在尺寸 上，已經演進到65納米、45納米，甚至更小的工藝(即制程，本文均稱為 工藝)。用來產生微小集成電路布局的光阻層，通常具有較高的長寬比。在 上述的情形下，如何維持一個理想的關鍵尺寸(critical?dimension；CD)， 將因眾多影響因素而提升困難度。光阻層的關鍵尺寸即為其中一項面臨挑 戰的項目。舉例來說，在微影圖形成形工藝中，光阻層容易遭受圖形崩毀 (pattern?collapse)以及關鍵尺寸降低的影響，而使得工藝的結果并不理 想。

由此可見，上述現有的微影圖形成形方法在方法與使用上，顯然仍存在 有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題，相關廠 商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發展 完成，而一般方法又沒有適切的方法能夠解決上述問題，此顯然是相關業 者急欲解決的問題。因此如何能創設一種新的微影雙重圖形成形方法，實 屬當前重要研發課題之一，亦成為當前業界極需改進的目標。

有鑒于上述現有的微影圖形成形方法存在的缺陷，本發明人基于從事 此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業知識，并配合學理的運用，積 極加以研究創新，以期創設一種新的微影雙重圖形成形方法，能夠改進一般 現有的微影圖形成形方法，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，并 經反復試作及改進后，終于創設出確具實用價值的本發明。

發明內容

本發明的目的在于，克服現有的微影雙重圖形成形方法存在的缺陷， 而提供一種新的微影雙重圖形成形方法，所要解決的技術問題是使其第一 光阻圖形及第二光阻圖形間之分離間隔達成一更小的最小特征尺寸，非常 適于實用。

本發明的另一目的在于，提供一種新的微影雙重圖形成形方法，所要 解決的技術問題是使其第一光阻圖形及第二光阻圖形間之分離間隔達成一 更小的最小特征尺寸，從而更加適于實用。

本發明的還一目的在于，提供一種新的微影雙重圖形成形方法，所要 解決的技術問題是使其第一光阻物質及第二光阻物質間之分離間隔達成一 更小的最小特征尺寸，從而更加適于實用。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據 本發明提出的一種微影圖形成形(lithography?patterning)方法，包含 以下步驟：形成一第一光阻圖形于一基板上，該第一光阻圖形包含至少一 開口；固化(curing)該第一光阻圖形；形成一第二光阻圖形于包含已固 化的該第一光阻圖形的該基板上；形成一物質層(material?layer)于該 基板上；以及移除該第一及第二光阻圖形以曝露該基板。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

前述的微影雙重圖形成形方法，其更包含一步驟：利用該物質層做為 一光罩，對該基板進行蝕刻。

前述的微影雙重圖形成形方法，其中所述的第二光阻圖形的每一部分 沉積于該第一光阻圖形的至少一開口中。

前述的微影雙重圖形成形方法，其中固化該第一光阻圖形的步驟是經 由一熱固化工藝(thermal?curing)、一紫外線固化工藝(UV?curing)、一 電子束處理過程(e-beam?treatment)、一離子布植處理過程(ion-implant treatment)或其排列組合的工藝所形成。

前述的微影雙重圖形成形方法，其中在移除該第一及第二光阻圖形的 步驟前更包含一步驟：蝕刻該物質層以曝露該第一及該第二光阻圖形。

本發明的目的及解決其技術問題還采用以下技術方案來實現。依據本 發明提出的一種微影雙重圖形成形(lithography?double?patterning)方 法，包含以下步驟：形成一第一物質層于一基板上；形成一第一光阻圖形于 該第一物質層上，該第一光阻圖形包含多個開口；固化該第一光阻圖形；在 固化該第一光阻圖形后，形成一第二光阻圖形于該第一物質層上；形成一 第二物質層于該第一物質層上；移除該第一及第二光阻圖形以曝露該第一 物質層中，未被該第二物質層覆蓋的部分；以及利用該第二物質層做為一 光罩，蝕刻該第一物質層。