[發明專利]光電元件封裝模塊及其制造方法

無效

• 申請號: 200810167673.0
• 申請日: 2008-10-22
• 公開（公告）號: CN101728366A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 陳隆欣
• 申請（專利權）人: 先進開發光電股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/075;H01L25/16;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/367;H01L23/31;H01L21/50
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 潘培坤;張向琨

1.一種光電元件的封裝模塊，包含

一散熱基板；

一介電層，位于該散熱基板上方，具有多個凹處用以露出部分的該散熱基板；

多個半導體發光晶粒，位于該介電層的凹處并固定于該散熱基板上；

一具有多個孔洞的印刷電路板，其孔洞相對應于該介電層的凹處，覆蓋在該介電層上并露出該多個半導體發光晶粒；

多條金屬導線將該多個半導體發光晶粒與該印刷電路板電性連接；以及

一透明膠材用以包覆該多個半導體發光晶粒與該多條金屬導線。

2.如權利要求1所述的光電元件封裝模塊，其中該半導體發光晶粒為發光二極管、激光發光二極管或光感測晶粒，且該半導體發光晶粒固定于該導熱基板上的方式包含使用銀膠或共晶接合方式。

3.如權利要求2所述的光電元件封裝模塊，其中該介電層的凹處為中空反射體，且該介電層的材料為聚鄰苯二甲酰胺或聚丁炔。

4.如權利要求2所述的光電元件封裝模塊，其中該散熱基板的材料為銅、鎳、銀、鉛、金或前述金屬合金，或是銅-鉬-銅、鎢-銅、鋁碳化硅、氮化鋁、硅、氧化鈹、金剛石或其他膨脹系數與該多個半導體發光晶粒相近的金屬材料。

5.如權利要求2所述的光電元件封裝模塊，還包含光轉換材料混合在該透明膠材內，其中該光轉換材料為熒光粉，且該熒光粉為硅酸鹽類、氧化物族系、氮化物族系或是硫化物族系。

6.一種光電元件的封裝模塊制造方法，其步驟包含：

提供一散熱基板；

形成一介電層于該散熱基板上；

形成一印刷電路板于該介電層上；

將多個半導體發光晶粒固定于散熱基板上；

多條金屬導線將該半導體發光晶粒與該印刷電路板電性連接；以及

一透明膠材用以包覆該多個半導體發光晶粒與該多條金屬導線；

其中上述的介電層具有多個凹處以露出部分的該散熱基板，該印刷電路板具有多個孔洞，其多個孔洞與該介電層的多個凹處相對應，以及該多個半導體發光晶粒對應于該介電層的凹處內。

7.一種光電元件的封裝模塊制造方法，其步驟包含：

提供一散熱基板；

形成一介電層于該散熱基板上，其中該介電層包含多個凹處；

將多個覆晶半導體發光晶粒分別放置于該介電層的凹處內并固定于該散熱基板上；

形成一具多個孔洞的印刷電路板，該孔洞相對應于該介電層的凹處的凹口，覆蓋在該介電層上，露出該覆晶半導體發光晶粒；

多條金屬導線電性連接覆晶半導體發光晶粒的子基板與該印刷電路板；以及

一透明膠材用以包覆該多個覆晶半導體發光晶粒與該多條金屬導線。

8.如權利要求6或7所述的光電元件封裝模塊制造方法，其中該半導體發光晶粒為發光二極管、激光發光二極管或光感測晶粒，且該半導體發光晶粒固定于該導熱基板上的方法包含使用銀膠或共晶接合方式。

9.如權利要求8所述的光電元件封裝模塊制造方法，其中該介電層的凹處為中空反射體，且該介電層的材料為聚鄰苯二甲酰胺或聚丁炔。

10.如權利要求8所述的光電元件封裝模塊制造方法，其中該散熱基板的材料為銅、鎳、銀、鉛、金或前述金屬合金，或是銅-鉬-銅、鎢-銅、鋁碳化硅、氮化鋁、硅、氧化鈹、金剛石或其他膨脹系數與該多個半導體發光晶粒相近的金屬材料。

11.如權利要求8所述的光電元件封裝模塊制造方法，還包含光轉換材料混合在該透明膠材內，其中該光轉換材料為熒光粉，且該熒光粉為硅酸鹽類、氧化物族系、氮化物族系或是硫化物族系。