[發明專利]基片處理方法、輸送處理材料的旋轉單元及基片處理裝置

有效

• 申請號: 200810166304.X
• 申請日: 2008-09-19
• 公開（公告）號: CN101393850A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 宋吉勳;樸平宰
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 上海恩田旭誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 尹洪波

技術領域

本發明實施例涉及一種處理基片的方法、向基片輸送處理材料的旋轉單元、和具有該旋轉單元的基片處理裝置。更具體地，本發明的實施例涉及一種同時處理基片的上表面和下表面的方法、向基片的下表面輸送處理材料的旋轉單元、以及具有該旋轉單元的基片處理裝置。

背景技術

通常，如半導體存儲器之類的集成電路器件，通過在如硅晶片之類的半導體基片上進行各種重復的單元操作而制成。例如，通過蝕刻基片的蝕刻處理、清洗各種污染物的清洗處理和干燥在蝕刻處理和清洗處理中的處理材料的干燥處理，形成集成電路。

有一種已廣泛用于上述如蝕刻處理、清洗處理和干燥處理之類的單元處理中的噴射裝置，以將處理材料，例如蝕刻液、清洗液和干燥氣體噴到基片上。在現有的單元處理裝置的結構中，該噴射裝置位于基片上方，處理材料通過該噴射裝置被噴到基片的上表面上。然后，一般地，基片上表面上的處理材料因離心力而均勻地鋪展到基片的整個上表面上，因為基片以高角速度快速旋轉。也就是說，基片上的處理材料通常朝基片的周邊部向外流，且有一些處理材料從基片流走。因此，一些處理材料沿基片的側表面流到基片的下表面上。基片下表面上的所述處理材料會產生各種顆粒和缺陷。

由于上述原因，將清洗裝置和干燥氣體設在基片的下表面下方，這樣，可通過清洗裝置和干燥氣體從基片的下表面除去殘留的處理材料。例如，去離子水和氮氣(N₂)分別廣泛地用作清洗處理的清洗液和干燥處理的干燥氣體。然而，該清洗裝置和干燥氣體只能對基片的下表面作清洗處理和干燥處理，因此，在不改變基片的情況下，難以對基片的下表面實施如附加蝕刻處理之類的其它處理。

為了在基片的下表面上進行處理，將基片翻轉并通過基片上方的噴射裝置將蝕刻液噴到下表面上。因此，為了處理基片，需要用于翻轉基片的附加部件，且該附加部件一定需要附加的空間，從而降低了基片處理裝置的空間利用率。

發明內容

本發明一實施例提供了一種同時處理基片的上表面和下表面的的方法。

本發明另一實施例提供了一種將處理材料輸送到基片的下表面上的旋轉單元。

本發明的又一實施例提供了一種具有上述旋轉單元的基片處理裝置。

根據本發明的一些實施例，提供了一種基片處理方法。將該基片固定在支承部上，并使其在支承部上旋轉。有選擇地將處理材料輸送到該旋轉基片的下表面上；且有選擇地將相同的處理材料輸送到旋轉基片的上表面上。

在實施例中，所述將處理材料輸送到基片的下表面上的步驟包括，在離開所述下表面一間距的位置將所述處理材料噴到所述下表面的中心部和靠近該中心部的中心鄰近部。

在實施例中，所述處理材料包括干燥氣體、蝕刻液和清洗液，且所述干燥氣體在離所述下表面第一間距的第一位置噴射，而所述蝕刻液和清洗液在離所述下表面第二間距的第二位置噴射，所述第二間距大于所述第一間距。

在實施例中，所述干燥氣體噴到所述基片的下表面的中心部上，而所述蝕刻液和清洗液噴到所述基片的下表面的中心鄰近部上。

在實施例中，所述蝕刻液和清洗液以第一方向噴到所述下表面上，而所述干燥氣體以不同于所述第一方向的第二方向噴到所述下表面上。

在實施例中，所述將處理材料輸送到下表面上的步驟以及所述將處理材料輸送到基片的上表面上的步驟，是同時進行的。

根據本發明的一些實施例，提供了一種旋轉單元，包括：旋轉部，基片在其上旋轉；位于所述旋轉部的上表面的周邊部上且支撐所述基片的支承部；和位于所述旋轉部的上表面上且與所述基片的下表面分開的噴射器。所述噴射器，在所述基片旋轉時，有選擇地將處理材料噴到所述基片的下表面上。

在實施例中，所述處理材料包括干燥氣體、蝕刻液和清洗液，且所述噴射器包括：第一分噴射器，其位于所述旋轉部的上表面的中心部且離所述基片的下表面第一間距，所述干燥氣體經該第一分噴射器噴到所述基片的下表面上；和第二分噴射器，其位于所述旋轉部的上表面的中心鄰近部且離所述基片下表面第二間距，所述蝕刻液和清洗液經該第二分噴射器噴到所述基片的下表面上。

在實施例中，所述第二間距大于所述第一間距。例如，所述第一間距與第二間距之比為約1:2至約1:4。

在實施例中，所述第一和第二間距分別被相互獨立地控制。

在實施例中，多個所述第二分噴射器圍繞所述第一分噴射器，使得所述第一分噴射器被所述第二分噴射器包圍。