[發(fā)明專(zhuān)利]同軸連接器型衰減器

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810166302.0
• 申請(qǐng)日: 2008-09-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101364658A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閻躍軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市研通高頻技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01P1/22
• 分類(lèi)號(hào): H01P1/22
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• 代理人: 暫無(wú)信息

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及一種電子及通信的同軸連接器型衰減器，尤其涉及一種可用于各種高頻和微波電路及系統(tǒng)的同軸連接器型衰減器。

【背景技術(shù)】

在電子部件家族里，衰減器是電路和系統(tǒng)中常用的基本部件之一。同軸連接器型的固定衰減器也已廣泛地被使用。要制作出高精度衰減量、低反射系數(shù)的衰減器，需要能方便地制作出高精度的串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻。現(xiàn)有的衰減片是用厚膜工藝一次印刷后燒制而成或用薄膜工藝一次濺射后燒制而成，一般采用激光調(diào)阻來(lái)實(shí)現(xiàn)串聯(lián)電阻、并聯(lián)電阻的精確匹配，從而可提高衰減片的精度。由于衰減片(衰減器)要求并聯(lián)電阻的接地端是同一端，共地對(duì)一個(gè)衰減片(衰減器)是至關(guān)重要，現(xiàn)有的衰減片(Pi型衰減器)的兩個(gè)并聯(lián)電阻的接地端(電極)是燒制在一起的，但對(duì)這樣的衰減片(器)的串聯(lián)、并聯(lián)電阻作激光調(diào)阻難度大，因?yàn)檎{(diào)完一個(gè)電阻，會(huì)影響另外一個(gè)電阻的等效阻值，它們是一個(gè)環(huán)狀結(jié)構(gòu)，很難實(shí)現(xiàn)衰減器的精確匹配，即如何實(shí)現(xiàn)高精度衰減量、低反射系數(shù)的衰減器是一個(gè)課題。

為了克服激光調(diào)阻的問(wèn)題，可以在基板上直接封貼高精度的分離器件的電阻，來(lái)實(shí)現(xiàn)精確匹配，請(qǐng)參閱美國(guó)專(zhuān)利6,903,621。但衰減器所需的特殊阻值的電阻需要定制，成本高，若采用相近阻值的標(biāo)準(zhǔn)分離器件的電阻，會(huì)降低衰減器的精度。另外，分離器件的電阻，一般其額定功率較小(一般的額定功率0.25W)，市場(chǎng)上一般很難買(mǎi)到大功率、小尺寸、高精度的分離器件的電阻，而對(duì)于一個(gè)衰減器來(lái)講，要做到很高的射頻特性，一般還要求衰減器的尺寸要小，用分離器件來(lái)做衰減器，很難實(shí)現(xiàn)大功率(比如幾十瓦)、高頻率(10GHz以上)。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種具有良好寬頻帶特性，低反射系數(shù)的適合高頻和微波電路及系統(tǒng)中的同軸連接器型衰減器。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：提供一種同軸連接器型衰減器，其包括：基板、信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端、同軸連接器、金屬體、一體制作在該基板上的膜狀串聯(lián)電阻、膜狀第一并聯(lián)電阻和膜狀第二并聯(lián)電阻組成的至少一級(jí)Pi型網(wǎng)絡(luò)、該膜狀串聯(lián)電阻的兩端作為該P(yáng)i型網(wǎng)絡(luò)的信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端、該膜狀第一并聯(lián)電阻的一端與該信號(hào)輸入端相連接、該膜狀第一并聯(lián)電阻的另一端與第一連接端相連接；該膜狀第二并聯(lián)電阻的一端與信號(hào)輸出端相連接、該膜狀第二并聯(lián)電阻的另一端與第二連接端相連接、其特征在于：用所述金屬體將該P(yáng)i型網(wǎng)絡(luò)的第一連接端與第二連接端相連接后，將該P(yáng)i型網(wǎng)絡(luò)安裝在所述同軸連接器內(nèi)、該同軸連接器的內(nèi)部同軸信號(hào)線經(jīng)該P(yáng)i型網(wǎng)絡(luò)的信號(hào)輸入端和信號(hào)輸出端后分別與該同軸連接器的外部信號(hào)端相連接，該P(yáng)i型網(wǎng)絡(luò)的第一連接端和第二連接端經(jīng)該金屬體與該同軸連接器的殼體相連接。

該膜狀串聯(lián)電阻、該膜狀第一并聯(lián)電阻和該膜狀第二并聯(lián)電阻是燒結(jié)在該基板上的厚膜電阻。

該膜狀串聯(lián)電阻、該膜狀第一并聯(lián)電阻、該膜狀第二并聯(lián)電阻是濺射在該基板的薄膜電阻。

該金屬體可以是金屬墊片、金屬套或金屬焊錫。

該同軸連接器可以是SMA型同軸連接器、N型同軸連接器或BNC型同軸連接器。

本發(fā)明的有益效果是：由于Pi型網(wǎng)絡(luò)的并聯(lián)電阻的連接端相互獨(dú)立，可實(shí)現(xiàn)串聯(lián)電阻、并聯(lián)電阻的獨(dú)立激光調(diào)阻。用金屬體將并聯(lián)電阻的第一連接端和第二連接端相連接，并安裝在同軸連接器內(nèi)，可實(shí)現(xiàn)高精度、更高頻率的同軸連接器型衰減器。

因此本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：

a.可對(duì)串聯(lián)電阻、并聯(lián)電阻獨(dú)立激光調(diào)阻；

b.衰減量的精度高，反射系數(shù)小。

c.耐高溫，可實(shí)現(xiàn)大額定功率的衰減器。

d.與分離器件的電阻制作的衰減器相比頻率范圍更高，DC到幾十GHz。

e.適用于各種隔離電路或需要衰減射頻功率的場(chǎng)合。

【附圖說(shuō)明】

圖1是第一實(shí)施例的Pi(π)型網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是第一實(shí)施例的Pi(π)型網(wǎng)絡(luò)的等效電路圖。

圖3是第一實(shí)施例的Pi(π)型網(wǎng)絡(luò)的實(shí)際設(shè)計(jì)參數(shù)。

圖4是第一實(shí)施例的金屬體的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是第一實(shí)施例的金屬體安裝位置示意圖。

圖6是第一實(shí)施例的內(nèi)部空心金屬柱體的示意圖。

圖7是第一實(shí)施例的金屬接頭的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8是第一實(shí)施例的將Pi型網(wǎng)絡(luò)制作在SMA型同軸連接器內(nèi)的組合結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9是第一實(shí)施例的將Pi型網(wǎng)絡(luò)制作在SMA型同軸連接器內(nèi)的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10是第二實(shí)施例的組合結(jié)構(gòu)示意圖。