[發明專利]一種多晶硅料的提純方法無效
| 申請號： | 200810163005.0 | 申請日： | 2008-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN101748481A | 公開（公告）日： | 2010-06-23 |
| 發明（設計）人： | 吳云才;劉偉;劉文濤;聶帥 | 申請（專利權）人： | 浙江昱輝陽光能源有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B15/00;C01B33/037 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100 | 代理人： | 徐關壽 |
| 地址： | 314117 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 提純 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶硅料的提純方法，包括對硅料進行低壓熔煉和直拉結 晶，其特征在于包括以下步驟：
a、將硅料投入配有磁場激勵裝置的熔化結晶設備中加熱熔化；
b、將熔融的硅液進行低壓蒸餾熔煉；
c、將熔煉后的硅液進行磁控直拉結晶，獲得太陽能級硅晶體；
所述的磁場激勵裝置產生的磁感應強度為500～1000Gs；所述的低壓 蒸餾熔煉氣壓為300～500Pa，熔煉時間為4～50小時；所述的加熱 熔化溫度為1420～1700℃；所述的直拉結晶的晶體生長速度為30～ 80mm/h。
2.根據權利要求1所述的多晶硅料的提純方法，其特征在于所述 的熔化結晶設備為單晶爐。
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