[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810161796.3
• 申請日: 2008-09-26
• 公開（公告）號: CN101685841A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張紹雄;許國君;杜升翰;張起豪
• 申請（專利權(quán)）人: 臺達電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 蒲邁文

1、一種發(fā)光二極管芯片，包括：

一外延疊層；

一第一導(dǎo)電層，形成在該外延疊層的一側(cè)上；以及

至少一電流分布層，形成在該第一導(dǎo)電層的一側(cè)，其中該電流分布層包括一圖案化阻抗層及第二導(dǎo)電層。

2、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中該外延疊層包括一第一半導(dǎo)體層、一有源層以及一第二半導(dǎo)體層。

3、如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其中該第一半導(dǎo)體層為n型半導(dǎo)體層，該第二半導(dǎo)體層為p型半導(dǎo)體層。

4、如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其中該第一半導(dǎo)體層為n-GaN、n-AlGaN、n-GaAs或n-GaP，該第二半導(dǎo)體層為p-GaN、p-AlGaN、p-GaAs或p-GaP。

5、如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其中該有源層系分別為一或多層能隙層、多量子阱結(jié)構(gòu)或單一量子阱結(jié)構(gòu)。

6、如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其中該有源層為氮化銦鎵(InGaN)、氮化鎵(GaN)、氮化鎵銦(GaInN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦(InN)、氮化氮化鋁(AlN)、硒化鋅(ZnSe)、摻鋅的氮化銦鎵(InGaN:Zn)、磷化鋁銦鎵(AlInGaP)或磷化鎵(GaP)。

7、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中該第一或該第二導(dǎo)電層為銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、鋁鋅氧化物(AZO)、摻銻二氧化錫(ATO)、二氧化錫(SnO₂)。

8、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中該第一或該第二導(dǎo)電層的材料為相同或不相同。

9、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中該圖案化阻抗層為電性絕緣材料、低導(dǎo)電系數(shù)材料或透明介電層。

10、如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管芯片，其中該圖案化阻抗層的材料為氧化硅(SiO₂)或五氧化二鈮(Nb₂O₅)。

11、如權(quán)利要求1或9所述的發(fā)光二極管芯片，其中該圖案化阻抗層呈多個三角形、四邊形、六邊形、八邊形、圓形、橢圓形或其組合的排列，或者，該圖案化阻抗層具有多個孔洞呈多個三角形、四邊形、六邊形、八邊形、圓形、橢圓形或其組合。

12、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中該圖案化阻抗層的導(dǎo)電系數(shù)小于該第一或該第二導(dǎo)電層的導(dǎo)電系數(shù)，而該圖案化阻抗層的折射率接近或等于該第一或該第二導(dǎo)電層的折射率。

13、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中該發(fā)光二極管芯片還包括多層的該電流分布層，該圖案化阻抗層與相鄰的該圖案化阻抗層成錯開排列，且后形成的該圖案化阻抗層的長度大于先形成的該圖案化阻抗層的長度。

14、如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其還包括至少一第一電極以及至少一第二電極，該第一電極形成在曝露的該第一半導(dǎo)體層上，該第二電極形成在該電流分布層上。

15、如權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管芯片，其中該第一電極包括至少一第一焊接部以及延伸自該第一焊接部的至少一延伸部，該第二電極包括至少一第二焊接部，該第一焊接部以及該第二焊接部用以與外界電性連接。

16、如權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管芯片，其中該第一及該第二電極設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片的周邊區(qū)域；或者，該第一電極設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片的中心區(qū)域，該第二電極設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片的周邊區(qū)域；或者，該第一電極設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片的周邊區(qū)域，該第二電極設(shè)置在該發(fā)光二極管芯片的中心區(qū)域。

17、如權(quán)利要求14至16中任一所述的發(fā)光二極管芯片，其中該圖案化阻抗層靠近該第二電極的單位面積圖案覆蓋率高于遠離該第二電極的單位面積圖案覆蓋率。

18、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，還包括一基板以及一形成在該基板上的緩沖層，該外延疊層形成在該緩沖層上。

19、如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極管芯片，其中該發(fā)光二極管芯片為倒裝片式發(fā)光二極管芯片，該基板為透明基板，該發(fā)光二極管芯片上的該第一電極以及該第二電極以倒裝片方式通過凸塊與一粘著基板上的接觸墊電性連接。