[發(fā)明專利]液晶顯示裝置及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810161454.1
• 申請(qǐng)日: 2008-09-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101609234A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金子英樹(shù);堀口正寬;小林修
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)普生映像元器件有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1362
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 章社杲;尚志峰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及串?dāng)_少、顯示質(zhì)量良好、寬視角的液晶顯示裝置及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

多使用這樣的縱向電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置：具有在表面形成電極等的一對(duì)透明基板以及該一對(duì)基板間夾持的液晶層，利用向兩基板上的電極施加電壓使液晶再排列從而顯示各種信息。這樣的縱向電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置一般為T(mén)N(Twisted?Nematic：扭轉(zhuǎn)向列型)模式的，但是由于存在視角窄帶問(wèn)題，正在開(kāi)發(fā)VA(VerticalAlignment：垂直配向)模式、MVA(Multidomain?Vertical?Alignment：多象限垂直配向)模式等各種被改良的縱向電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置。

另一方面，公知一種與上述的縱向電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置不同，僅在一個(gè)基板上具有由像素電極和公用電極組成的一對(duì)電極的IPS(In-Plane?Switching：橫向電場(chǎng)效應(yīng))模式或FFS(Fringe?FieldSwitching：邊緣場(chǎng)切換)模式的液晶顯示裝置。

其中，IPS模式的液晶顯示裝置，一對(duì)電極配置在同一層，將施加于液晶的電場(chǎng)的方向作為幾乎與基板平行的方向而將液晶分子再排列在與基板平行的方向上。因此，此IPS模式的液晶顯示裝置也稱為橫向電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置，與所述的縱向電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置比較，具有視角非常寬的優(yōu)點(diǎn)。因此，IPS模式的液晶顯示裝置在同一層設(shè)有一對(duì)電極，所以存在不能充分驅(qū)動(dòng)位于像素電極上側(cè)的液晶分子而導(dǎo)致透過(guò)率降低的問(wèn)題。

為解決這樣的IPS模式的液晶顯示裝置的問(wèn)題，開(kāi)發(fā)了應(yīng)該稱為斜電場(chǎng)方式的FFS模式的液晶顯示裝置(參照下述專利文獻(xiàn)1及2)。此FFS模式的液晶顯示裝置通過(guò)各自的絕緣膜在不同的層配置用于向液晶層施加電場(chǎng)的像素電極及公用電極。

此FFS模式的液晶顯示裝置具有如下特征：比IPS模式的液晶顯示裝置視角寬且對(duì)比度高，而且，可以低電壓驅(qū)動(dòng)并且由于透過(guò)率高則可以明亮的顯示。另外，也有如下的優(yōu)點(diǎn)：比起IPS模式的液晶顯示裝置，在俯視圖中，F(xiàn)FS模式的液晶顯示裝置像素電極與公用電極的重復(fù)面積大，所以附帶地產(chǎn)生更大的保存容量，沒(méi)有另外設(shè)計(jì)輔助容量線的必要。

另一方面，也揭示了在FFS模式的液晶顯示裝置中，為了不在開(kāi)關(guān)元件、像素電極的表面形成等級(jí)差別(step?difference)，而使用在上述VA方式或MVA方式的液晶顯示裝置中使用的平坦化膜，并且在此平坦化膜上設(shè)置像素電極、公用電極(參照下述專利文獻(xiàn)3)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2001-235763號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2002-182230號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開(kāi)2007-226199號(hào)公報(bào)

根據(jù)上述專利文獻(xiàn)3，在上述平坦化膜上形成像素電極、公用電極時(shí)，絕緣膜的上側(cè)的電極(以下，稱為“上電極”。)以及下側(cè)的電極(以下，稱為“下電極”。)的任何一個(gè)均可以作為像素電極及公用電極使用。然后，將下電極作為像素電極使用時(shí)，由于下電極可以延伸至作為開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)的附近以及信號(hào)線和掃描線的附近，所以有可以獲得大開(kāi)口度、明亮顯示的液晶顯示面板的優(yōu)點(diǎn)。然后，在像素區(qū)域中，雖然有在上電極上形成多個(gè)縫隙的必要，但由于可以穩(wěn)固地形成上電極，所以減小作為公用電極的上電極的電阻并穩(wěn)定公用電極的電位，可以得到顯示質(zhì)量良好的FFS模式的液晶顯示裝置。

另一方面，作為公用電極使用上電極時(shí)，由于在上電極上形成縫隙而導(dǎo)致有等級(jí)差別，并出現(xiàn)由此等級(jí)差別引起產(chǎn)生老化(burn-in)現(xiàn)象。為抑制此老化現(xiàn)象，減小上電極的等級(jí)差別是有效的。因此，考慮將上電極的厚度變薄至下電極的厚度的一半的程度(具體地講，50nm程度)。但是，由于上電極是由ITO、IZO等導(dǎo)電性材料形成的，故若將上電極的厚度變薄，上電極的電阻值會(huì)變得更高。然而，由于在上電極的每個(gè)像素區(qū)域形成多個(gè)縫隙，所以上電極的電阻值比穩(wěn)固地形成了上電極時(shí)更高。如果上電極的電阻值升高，施加的信號(hào)會(huì)電力地變差(electrically?deteriorates)，不能合適地給予液晶層預(yù)定的驅(qū)動(dòng)電位，繼而造成發(fā)生串?dāng)_(crosstalk)。特別是在稱為寬尺寸的橫長(zhǎng)的液晶顯示器中，明顯地出現(xiàn)這樣的串?dāng)_的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是解決上述問(wèn)題的至少一部分，可以通過(guò)以下的方式或適用例來(lái)實(shí)現(xiàn)。