[發明專利]通過加熱襯底生產的半導體器件的制造設備和制造方法

無效

• 申請號: 200810160808.0
• 申請日: 2008-09-16
• 公開（公告）號: CN101388330A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發明（設計）人: 上野昌紀;上田登志雄;渡邊容子
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/687;H01L21/20;H01L33/00;C30B25/12;C30B25/10;C23C16/458;C23C16/46
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種用于半導體器件的制造設備，包括：

夾持襯底(1)的基座(2)；

在基座(2)的表面處形成的多個袋(4)；

加熱器構件(6)，相反于夾持所述襯底(1)的所述基座(2)的一側，所述加熱器構件(6)被安排在所述基座(2)的背側，用于加熱所述襯底(1)；

支撐構件(11)，其位于所述襯底(1)和所述基座(2)之間，包括支撐所述襯底(1)的支撐部分(12)并具有與所述襯底(1)的形狀基本上相同的平面形狀，所述支撐部分(12)支撐所述襯底(1)的外部周圍區域，以使得所述支撐構件(11)通過支撐部分(12)在所述外部周圍區域與所述襯底(1)形成接觸；

在所述襯底(1)和除了支撐部分(12)的區域之外的支撐構件(11)之間的間隙(13)；以及

盤形間隔物(14)，其位于所述基座(2)和所述支撐構件(11)之間，以在與支撐構件(11)面對所述襯底(1)的一側相對的所述支撐構件(11)的相反面側形成接觸，并且在所述支撐構件(11)的所述相反面側，具有在與設置所述支撐部分(12)的地方對應的、所述間隔物(14)的外部周圍區域處形成的開口(15)。

2.根據權利要求1所述的用于半導體器件的制造設備，其中，所述開口(15)被用具有比所述間隔物(14)低的熱導率的材料(25)填充。

3.根據權利要求1所述的用于半導體器件的制造設備，其中，所述支撐部分(12)由在至少三個地方的凸起形成。

4.一種半導體器件的制造方法，采用權利要求1中限定的所述制造設備，該制造方法包括以下步驟：

將所述襯底(1)裝載到所述基座(2)中形成的所述袋(4)中(S20)，并且在所述袋(4)中布置有所述支撐構件(11)和所述盤形間隔物(14)，以使得：

所述支撐構件(11)位于所述襯底(1)和所述基座(2)之間，所述支撐構件(11)包括用于支撐所述襯底(1)的所述支撐部分(12)并具有與所述襯底(1)的形狀基本上相同的平面形狀，

所述盤形間隔物(14)位于所述基座(2)和所述支撐構件(11)之間并且被配置為與所述支撐構件(11)的相反面側形成接觸，并且，在所述支撐構件(11)的所述相反面側處，所述盤形間隔物(14)具有在與設置所述支撐部分(12)的地方對應的、所述間隔物(14)的外部周圍區域處形成的所述開口(15)，

所述襯底(1)的外圍區域和用于支撐的所述支撐構件(11)的所述支撐部分(12)相接觸，并且

所述間隙(13)位于所述襯底(1)和除了支撐部分(12)的區域之外的支撐構件(11)之間，以及

通過所述加熱器構件(6)來加熱所述襯底(1)(S30)，其中，在所述盤形間隔物(14)處形成所述開口(15)，由此使得，相對地減少通過熱傳導從所述基座(2)到設置有所述支撐部分(12)的所述支撐構件(11)的區域所傳遞的熱量，并且因此減少了在與所述支撐部分(12)相接觸的所述襯底(1)的外圍區域處傳遞到所述襯底(1)的熱量，進而能夠抑制所述襯底(1)上的溫度分布的發展。

5.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其中，半導體包括氮化物型化合物半導體。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其中，所述半導體器件包括半導體發光元件。