[發(fā)明專利]洛倫茲磁致電阻傳感器及制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810149485.5 | 申請日： | 2008-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN101393961A | 公開（公告）日： | 2009-03-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 布魯斯·A·格尼;歐內(nèi)斯托·E·馬里納羅;安德魯·S·特魯普;戴維·A·威廉斯;喬爾格·旺德里克 | 申請（專利權(quán)）人： | 日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;H01L43/12;G11B5/39;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 張 波 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 洛倫茲磁 致電 傳感器 制造 方法 | ||
1.一種洛倫茲磁致電阻傳感器，包括：
具有第一和第二側(cè)并具有氣墊面的磁有源結(jié)構(gòu)；
與所述磁有源結(jié)構(gòu)的第二側(cè)電連接的多根導(dǎo)電引線，每根所述導(dǎo)電引線包括沿垂直于所述氣墊面取向的平面形成的導(dǎo)電材料層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，具有與所述多個(gè)導(dǎo)電引線層的每個(gè)相鄰形成的電絕緣層，所述電絕緣層沿著垂直于所述氣墊面的平面形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中每根所述導(dǎo)電引線包括從多晶硅、Au、TiSi2和AuGe構(gòu)成的組中選擇的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感器，其中所述電絕緣層包括氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的傳感器，其中所述電絕緣層包括氮化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中所述磁有源層包括半導(dǎo)體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中所述磁有源層包括從Si、GaAs、InAs、InSb或In、As和Sb的合金構(gòu)成的組選擇的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中所述磁有源層包括形成為半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的量子阱。
9.一種洛倫茲磁致電阻傳感器，包括：
具有第一和第二側(cè)并具有延伸于所述第一和第二側(cè)之間的氣墊面的磁有源結(jié)構(gòu)；
與所述磁有源層的第一側(cè)電連接的導(dǎo)電旁路結(jié)構(gòu)；以及
與所述磁有源結(jié)構(gòu)的第二側(cè)電連接的多根導(dǎo)電引線，每根所述導(dǎo)電引線包括沿垂直于所述氣墊面取向的平面形成的導(dǎo)電材料層。
10.一種霍爾磁致電阻傳感器，包括：
具有第一和第二側(cè)并具有延伸于所述第一和第二側(cè)之間的氣墊面的磁有源結(jié)構(gòu)；
與所述磁有源結(jié)構(gòu)的第二側(cè)電連接的多根導(dǎo)電引線，每根所述導(dǎo)電引線包括沿垂直于所述氣墊面取向的平面形成的導(dǎo)電材料層。
11.一種洛倫茲磁致電阻傳感器，包括：
磁有源結(jié)構(gòu)，具有響應(yīng)于外加磁場而變化的電阻；
與所述磁有源結(jié)構(gòu)連接的多個(gè)導(dǎo)電引線層；以及
多個(gè)電絕緣層，每個(gè)所述導(dǎo)電引線層通過所述多個(gè)電絕緣層之一與相鄰的導(dǎo)電引線層隔開；且
其中所述導(dǎo)電引線之間的間隔由所述電絕緣層的厚度決定。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的洛倫茲磁致電阻傳感器，其中每個(gè)所述導(dǎo)電引線具有由所述導(dǎo)電引線層的厚度界定的引線寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的洛倫茲磁致電阻傳感器，其中每個(gè)所述導(dǎo)電引線層包括沿垂直于所述傳感器的氣墊面的平面形成的導(dǎo)電材料層。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的洛倫茲磁致電阻傳感器，其中每個(gè)所述導(dǎo)電引線層包括沿垂直于所述傳感器的氣墊面的平面形成的多晶硅層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的洛倫茲磁致電阻傳感器，其中每個(gè)所述電絕緣層包括沿垂直于所述傳感器的氣墊面的平面形成的電絕緣材料層。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的洛倫茲磁致電阻傳感器，其中每個(gè)所述電絕緣層包括沿垂直于所述傳感器的氣墊面的平面形成的氧化物層。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的洛倫茲磁致電阻傳感器，其中每個(gè)所述電絕緣層包括沿垂直于所述傳感器的氣墊面的平面形成的氮化物層。
18.一種制造洛倫茲磁致電阻傳感器的方法，包括：
提供襯底；
在所述襯底中形成溝槽；
在所述溝槽中淀積第一導(dǎo)電引線層；
在所述溝槽中在所述第一引線層上方淀積非磁性間隔層；
在所述溝槽中在所述非磁性間隔層上方淀積第二導(dǎo)電引線層；以及
在所述溝槽中形成磁有源結(jié)構(gòu)，所述磁有源結(jié)構(gòu)與所述第一和第二導(dǎo)電引線層的邊緣電接觸。
19.一種制造洛倫茲磁致電阻傳感器的方法，包括：
提供襯底；
在所述襯底上形成第一引線層；
在所述第一引線層上形成絕緣層；
在所述絕緣層上形成第二引線層；以及
形成磁有源結(jié)構(gòu)，所述磁有源結(jié)構(gòu)與所述第一和第二引線層接觸。
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