[發明專利]靶結構和靶保持裝置

有效

• 申請號: 200810149389.0
• 申請日: 2008-09-25
• 公開（公告）號: CN101397650A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發明（設計）人: 石橋啟次;醍醐佳明
• 申請（專利權）人: 佳能安內華股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/06
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種靶結構，其包括：

靶保持部，其由金屬材料形成；和

鎵或含鎵靶材，其被置于所述靶保持部上，

其中，在所述靶保持部的形成與所述鎵或含鎵靶材的界面的表面上形成有包含碳的薄膜，該薄膜與熔化狀態下的所述鎵或含鎵靶材成不大于30°的接觸角。

2.根據權利要求1所述的靶結構，其特征在于，包含碳的所述薄膜是金剛石狀碳的薄膜。

3.根據權利要求1所述的靶結構，其特征在于，所述保持部由銅形成。

4.一種包括權利要求1所述的靶結構的濺射裝置。

5.一種靶保持結構，其包括：

保持部，其用于保持鎵或含鎵靶材；和

覆膜，其形成在所述保持部的形成與所述鎵或含鎵靶材的界面的表面上，其中，

所述覆膜由與熔化狀態下的鎵或含鎵材料成不大于30°的接觸角的包含碳的材料形成。

6.一種靶保持結構，其包括：

保持部，其用于保持鎵或含鎵靶材；和

覆膜，其包括金剛石狀碳并且形成在所述保持部的形成與所述鎵或含鎵靶材的界面的表面上。

7.一種制備鎵沉積物的方法，其包括使用權利要求1所述的靶結構由濺射工藝來沉積鎵或含鎵膜的步驟。

8.一種制備鎵沉積物的方法，其包括使用權利要求5所述的靶保持結構由濺射工藝來沉積鎵或含鎵膜的步驟。

9.一種制備鎵沉積物的方法，其包括使用權利要求6所述的靶保持結構由濺射工藝來沉積鎵或含鎵膜的步驟。