[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200810149240.2
• 申請日: 2008-09-17
• 公開（公告）號: CN101425518A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: S·納拉絲穆哈;P·D·阿格內羅;陳曉萌;J·R·霍爾特;M·V·卡里;金炳烈;D·K·薩達納
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 屠長存

1.一種半導體結構，包括：

襯底，包括具有第一極性和第一晶向的外延表面半導體層，以及橫向鄰近的絕緣體上半導體的表面半導體層，該絕緣體上半導體的表面半導體層具有與所述第一極性和所述第一晶向不同的第二極性和第二晶向，其中所述外延表面半導體層包括沿著第一邊緣但不沿著鄰接所述第一邊緣的第二邊緣的缺陷；

第一場效應器件，具有與所述第一邊緣垂直的第一柵極；以及

第二場效應器件，具有與所述第二邊緣垂直的第二柵極。

2.權利要求1的半導體結構，其中所述第二邊緣垂直于所述第一邊緣。

3.權利要求1的半導體結構，其中所述第一極性是p型極性并且所述第一晶向是110晶向。

4.權利要求1的半導體結構，其中所述第二極性是n型極性而所述第二晶向是100晶向。

5.權利要求1的半導體結構，其中所述第一場效應器件包括邏輯器件。

6.權利要求1的半導體結構，其中所述第二場效應器件包括存儲器件。

7.權利要求6的半導體結構，其中所述存儲器件包括隨機訪問存儲器件。

8.權利要求1的半導體結構，其中所述第一場效應器件和所述第二場效應器件從包括場效應晶體管、場效應電容器和場效應二極管的組中選擇。

9.權利要求1的半導體結構，進一步包括具有與所述第一柵極平行的第三柵極的第三場效應器件，所述第三場效應器件位于所述絕緣體上半導體的表面半導體層中。

10.一種半導體結構，包括：

外延表面半導體層，具有第一摻雜極性和第一晶向；

橫向鄰近的絕緣體上半導體的表面半導體層，具有與所述第一摻雜極性和所述第一晶向不同的第二摻雜極性和第二晶向；以及

另一個橫向鄰近的第二絕緣體上半導體的表面半導體層，具有所述第一摻雜極性和所述第二晶向；

其中所述外延表面半導體層具有有缺陷的第一邊緣和鄰接的沒有缺陷的第二邊緣。

11.權利要求10的半導體結構，進一步包括位于所述外延表面半導體層中的第一場效應器件、位于所述絕緣體上半導體的表面半導體層中的第二場效應器件以及位于所述第二絕緣體上半導體的表面半導體層中的第三場效應器件。

12.權利要求11的半導體結構，其中所述第一場效應器件具有第一柵極、所述第二場效應器件具有第二柵極以及所述第三場效應器件具有第三柵極，所述第一柵極、所述第二柵極和所述第三柵極平行。

13.權利要求11的半導體結構，其中所述第一場效應器件、所述第二場效應器件和所述第三場效應器件中的每一個都從包括場效應晶體管、場效應電容器和場效應二極管的組中選擇。

14.權利要求10的半導體結構，其中所述第一摻雜極性是p型極性而所述第一晶向是110晶向。

15.權利要求10的半導體結構，其中所述第二摻雜極性是n型極性而所述第二晶向是100晶向。

16.一種用于制造半導體結構的方法，包括：

在半導體襯底之上、并且與具有第二極性和第二晶向的絕緣體上半導體的表面半導體層橫向鄰近地，形成具有與所述第二極性和所述第二晶向不同的第一極性和第一晶向的外延表面半導體層，所述外延表面半導體層具有有缺陷的第一邊緣和沒有缺陷的鄰接的第二邊緣；以及

在所述外延表面半導體層中形成具有第一柵極的第一場效應器件和具有第二柵極的第二場效應器件，所述第一柵極垂直于所述第一邊緣且所述第二柵極垂直于所述第二邊緣。

17.權利要求16的方法，其中所述第一邊緣垂直于所述第二邊緣。

18.權利要求16的方法，其中所述第一極性是p型極性而所述第一晶向是110晶向。

19.權利要求16的方法，其中所述第二極性是n型極性而所述第二晶向是100晶向。

20.權利要求16的方法，其中所述第一場效應器件和所述第二場效應器件中的每一個都包括場效應晶體管。