[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件和其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810149061.9
• 申請日: 2005-02-28
• 公開（公告）號: CN101369637A
• 公開（公告）日: 2009-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 竹內(nèi)萬善;城所敦;富田陵一;北村一典
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社豐田自動織機
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/54;H01L51/52;H01L51/50;C23C16/30;C23C16/34
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 李平英

本申請是申請?zhí)枮?005100524690、申請日為2005年2月28日、發(fā)明名稱為“有機電致發(fā)光器件和其制造方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明一般涉及一種有機電致發(fā)光(EL)器件，更具體地說，涉及一種對有機電致發(fā)光器件所用密封薄膜特征的改進。

本發(fā)明也涉及制造這種有機電致發(fā)光器件的方法。

背景技術(shù)

迄今，由于有機電致發(fā)光器件可以實現(xiàn)自身光發(fā)射以獲得一種高發(fā)光率的屏幕，有機電致發(fā)光器件的實際應(yīng)用正廣泛被發(fā)展用于薄又輕的便攜式設(shè)備等的顯示器或發(fā)光設(shè)備。這種有機電致發(fā)光器件具有一種其中在基片上形成電致發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，此電致發(fā)光元件包括一對其中至少一層電極層是透明的電極層和一層夾在該電極層對之間的有機光發(fā)射層。

對于這種有機電致發(fā)光器件有一種擔心，即由于水分和諸如氧的氣體滲透而引起圖像質(zhì)量衰變和壽命縮短，可能會損害電致發(fā)光元件的有機光發(fā)射層和電極層。因此，有人建議，用密封薄膜覆蓋電致發(fā)光元件的表面，以防止外部水分和氣體的滲入。

例如，JP?2003-118030?A披露了一種電致發(fā)光器件，其中利用干燥方法，在有機基底材料的表面上形成一層氣體阻擋層，利用濕法在該氣體阻擋層的表面上形成由含聚硅氮烷組合物的固化過的物質(zhì)制成的固化物質(zhì)層，并將所得的基底材料作為密封薄膜布置于電致發(fā)光元件的表面上。

但是，按JP?2003-116030?A披露的技術(shù)，在有機基底材料表面上形成氣體阻擋層及固化物質(zhì)層，并將所得基底材料配置于電致發(fā)光元件表面上，也導致了使電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜，厚度增加，和使制造電致發(fā)光器件方法復(fù)雜化的問題。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述與已有技術(shù)相關(guān)的問題完成了本發(fā)明，因此，本發(fā)明目的在于提供一種有機電致發(fā)光器件，它能有效地防止水分和氣體滲入，而且結(jié)構(gòu)簡單。

本發(fā)明另一個目的在于，提供一種能獲得這種有機電致發(fā)光器件的制造有機電致發(fā)光器件的方法。

按照本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件包括:一層基片；在該基片表面上形成并至少有第一電極層、有機光發(fā)射層和第二電極層的一種電致發(fā)光元件；和在該電致發(fā)光元件表面上形成一層密封薄膜，以覆蓋該電致發(fā)光元件，該密封薄膜由硅和硅的氮化物制成，其中鍵合硅原子的硅原子數(shù)目對鍵合氮原子的硅原子數(shù)目之比，等于或大于0.6、但等于或小于2.0。

本發(fā)明的發(fā)明人認真反復(fù)地進行了研究，結(jié)果很清楚，即使當鍵合硅原子的硅原子數(shù)目對鍵合氮原子的硅原子數(shù)目之比小于0.6或大于2.0時，所形成的密封薄膜的水蒸汽透過率表明其數(shù)值不可忽略不計，但當此比等于或大于0.6但等于或小于2.0時，所形成的密封薄膜的水蒸汽透過率等于或小于測量精度極限值。由于這個原因，可以斷定，將適量的Si-Si鍵合鏈分散到Si-N鍵合鏈中，會增強密封性能。

注意，還可利用聚硅氮烷在此密封薄膜表面上形成由SiO₂構(gòu)成的第二密封薄膜。

按照本發(fā)明制造有機電致發(fā)光器件的方法包括:在基片上形成至少有第一電極層、有機光發(fā)射層和第二電極層的一種電致發(fā)光元件；和至少提供一種SiH₄氣體和N₂氣，并調(diào)節(jié)SiH₄氣體的流率和所提供的電能，以便利用等離子體CVD方法，以等于或高于300納米/分鐘但等于或低于600納米/分鐘的淀積速率，在此電致發(fā)光元件表面上形成由Si和硅的氮化物構(gòu)成的密封薄膜，覆蓋該電致發(fā)光元件。

由Si和硅的氮化物構(gòu)成的密封薄膜的淀積速率，主要取決于SiH₄氣體的流率和所提供的電能量，而且，明顯的是，當該淀積速率等于或高于300納米/分鐘但等于或低于600納米/分鐘時，其水蒸汽透過率等于或小于測量精度極限值。

注意，優(yōu)選的是，通過等離子體CVD的方法，在設(shè)定NH₃氣流率對SiH₄氣體流率之比等于或高于0.0但等于或低于0.2的條件下，提供NH₃氣，形成密封薄膜。

此外，還可通過對該密封薄膜表面涂布聚硅氮烷的方法，形成由SiO₂構(gòu)成的薄膜，并使之受到烘烤處理。聚硅氮烷也可以是處于半干燥狀態(tài)的。

附圖說明

圖1是說明按照本發(fā)明實施方案1的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)橫斷面圖；

圖2圖示說明密封薄膜的淀積速率和其水蒸汽透過率間的關(guān)聯(lián)；