[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 200810149007.4
• 申請日: 2005-09-28
• 公開（公告）號: CN101388358A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發明（設計）人: 和泉宇俊
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/316
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺;馮志云

1.一種半導體器件的制造方法，包括如下步驟：

(a)在半導體襯底上方形成由絕緣材料制成的層間絕緣膜；

(b)在該層間絕緣膜上方形成氫擴散阻擋膜，該氫擴散阻擋膜由氫擴散阻擋能力高于該層間絕緣膜材料的材料制成；以及

(c)對形成有該層間絕緣膜和該氫擴散阻擋膜的半導體襯底進行熱處理，

其中在步驟(a)中，在室壓等于或高于930Pa的條件下，通過使用氧氣或臭氧以及TEOS作為源材料進行等離子體增強CVD形成該層間絕緣膜。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中步驟(a)包括將該層間絕緣膜的表面平坦化的步驟。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中步驟(a)還包括通過將該層間絕緣膜暴露于N₂等離子體或氧化氮等離子體來進行脫水處理的步驟。

4.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其中在進行脫水處理的步驟中，將襯底溫度設定為200℃到450℃的范圍。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，在步驟(c)之后還包括如下步驟：

(d)在該氫擴散阻擋膜上方形成下層膜，該下層膜由與該氫擴散阻擋膜的材料不同的材料制成；

(e)在該下層膜上形成布線；以及

(f)在所述布線上方形成多層布線結構。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中步驟(a)還包括在該半導體襯底上方形成鐵電電容器，以及形成覆蓋該鐵電電容器的層間絕緣膜的步驟。