[發明專利]一種積累層控制的晶閘管無效
| 申請號： | 200810147690.8 | 申請日： | 2008-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN101478002A | 公開（公告）日： | 2009-07-08 |
| 發明（設計）人： | 李澤宏;錢夢亮;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/74 | 分類號： | H01L29/74 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610054四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 積累 控制 晶閘管 | ||
【權利要求書】：
1.一種積累層控制的晶閘管，包括金屬化陽極(1)、陽極P區(2)、N-基區(3)、P+旁路區(4)、金屬化陰極(5)、柵氧化層(6)、多晶硅柵(7)、P型基區(8)、N+源區(9)、N-耗盡區(33)和N+層(200)；
其特征在于：N-基區(3)與金屬化陰極(5)之間夾著一個溝槽式絕緣柵，所述溝槽式絕緣柵由柵氧化層(6)和多晶硅柵(7)構成，其中柵氧化層(6)位于多晶硅柵(7)的表面且包圍整個多晶硅柵(7)；位于溝槽式絕緣柵側面的N-基區(3)與金屬化陰極(5)之間從下往上依次是P型基區(8)、N+層(200)和N-耗盡區(33)，N-耗盡區(33)上方橫向排列有一個P+旁路區(4)和一個N+源區(9)，P+旁路區(4)、N+源區(9)和溝槽式絕緣柵的上面是金屬化陰極(5)，P+旁路區(4)和溝槽式絕緣柵之間夾著N+源區(9)和部分N-耗盡區(33)。
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