[發明專利]白光發光二極管及其氟氧化物熒光粉

無效

• 申請號: 200810147396.7
• 申請日: 2008-08-14
• 公開（公告）號: CN101323785A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發明（設計）人: 索辛納姆;羅維鴻;蔡綺睿
• 申請（專利權）人: 羅維鴻
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種氟-氧化物熒光粉，其系以釔鋁氧化物成分的立方晶格石榴 石架構的氟-氧化物為基礎，以鈰作為激活劑，其特征在于：該熒光粉 發光材料成分中添加了氟，其化學當量方程式為： Y_3-xCe_xAl₂(AlO_4-γF_O)γF_iγ)₃，其中，F_O-氧晶體點上的氟離子，F_i-晶體 節點之間的氟離子，其中該化學當量方程式的化學計量指數為 0.001≤γ≤1.5，0.001≤x≤0.3，發光材料的晶格參數值為a≤1.2nm。

2.如權利要求1所述的氟-氧化物熒光粉，其擁有波長為 λ_ext＝380～470nm的寬頻帶激發光譜，輻射光譜波長為λ＝420～750nm， 光譜最大值位于λ_max＝538～555nm，最大半波寬為λ_0.5＝114～109nm。

3.如權利要求1所述的氟-氧化物熒光粉，其中當該熒光粉的激發 波長為λ＝458nm時，其輻射光譜的流明當量值在QL＝360～460流明/ 瓦的范圍內變動。

4.如權利要求1所述的氟-氧化物熒光粉，其中該熒光粉在近紫外 -可見光的激發下發射光譜最大值為λ＝538～555nm的黃-綠色光。

5.如權利要求1所述的氟-氧化物熒光粉，其中該熒光粉在 λ＝450～470nm光的激發下，其余輝持續時間為τ_e＝60-88奈秒。

6.如權利要求1所述的氟-氧化物熒光粉，其中該熒光粉在波長為 λ＝400～500的短波次能帶上反光系數為R≤20％，在光譜的黃-綠色區 域其反光系數R＝30-35％。

7.如權利要求1所述的氟-氧化物熒光粉，其中當溫度T＝100～ 175℃，該熒光粉的發光強度降低15～25％。

8.如權利要求1所述的氟-氧化物熒光粉，在激發頻帶為λ＝460± 10nm下，該熒光粉的輻射量子輸出η≥0.96，并且隨著成分中氟離子的 濃度從[F]＝0.01增加到[F]＝0.25原子分率，量子輸出也會有所增長。

9.如權利要求1所述的氟-氧化物熒光粉，其中該熒光粉的輻射光 譜可以用高斯曲線進行描述，并且其主波長從λ＝564nm提升到 λ＝568nm。

10.如權利要求1所述的氟-氧化物熒光粉，其中該熒光粉的顆粒 呈圓形，有12或20個棱面，平均直徑d_cp＝2.2～4.0微米，中位線直徑 d₅₀＝1.60～2.50微米，另外，該熒光粉顆粒的比面積值達到 42×10³cm²/cm³。

11.一種用于In-Ga-N異質結的光譜轉換器，其系以權利要求1 中所述的熒光粉為基礎，在透光聚合層中填充有該熒光粉，其特征在 于：該光譜轉換器以厚度均勻的幾何圓形的形式存在，與該異質結的 平面及側面發生光學上的接觸形成光源，其輻射光譜由波長 λ＝450～470nm的短波異質結的初級輻射與權利要求1中的熒光粉再生 輻射組成，所填充的熒光粉顆粒的濃度須適量，以產生色溫 T＝4100～6500K的白光。

12.一種半導體光源，其系以光譜轉換器為基礎，其In-Ga-N異 質結的表面及棱面都分布有如權利要求10中所述的熒光粉，特征在于： 其整體輻射由兩個光譜曲線組成，第一個光譜曲線的最大值λ_max＝460 ±10nm，第二個光譜曲線的最大值λ_max＝546±8nm，色坐標為 x＝0.30-0.36，y＝0.31-0.34。

13.如權利要求12所述的半導體光源，其中在單位異質結的光通 量下，發光強度1≥20燭光，角2θ＝30°，發光效率η＞85流明/瓦。