[發明專利]暖白光發光二極管和薄膜及其紅光熒光粉無效
| 申請號: | 200810147395.2 | 申請日: | 2008-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN101323783A | 公開(公告)日: | 2008-12-17 |
| 發明(設計)人: | 索辛納姆;羅維鴻;蔡綺睿 | 申請(專利權)人: | 羅維鴻 |
| 主分類號: | C09K11/64 | 分類號: | C09K11/64;H01L33/00 |
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| 地址: | 200231上海市徐*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 白光 發光二極管 薄膜 及其 紅光 熒光粉 | ||
【發明所屬技術領域】
本發明系關于一種電子技術領域,尤指一種與 廣義上被稱之為′固態光源′(Solid?state?lighting)的 照明技術有關的紅光熒光粉及使用該熒光粉的暖白 光發光二極管。
【先前技術】
在這一技術基礎上已經制造出了日常和景觀用 的照明設備,甚至還有工業用的大功率照明設備。 這些照明設備的色溫較低,T≤3500K,屬于’暖白光 照明’。如果色溫T>4600K,那么這種半導體設備就 屬于’冷白光’。
第一種紅光熒光粉屬于列帕爾德(Lepard)熒 光粉,其方程式為MeIIS:Eu+2,其中MeII=Ca+2,Sr+2或者Ba+2。第二種類型的熒光粉是AIIBIV(AII=Zn,Cd,BIV=S,Se,Te)化合物,或者它們的互熔 固體化合物,如(ZnS)0.4(CdS)0.6·Ag。這兩種熒光粉 在現如今的應用是非常有限的:1.MeIIS硫化物的 化學穩定性很低,在空氣里很快就分解了;2.AIIBIV化合物的主要成分中含有毒性很強的鎘。
自1965年第一種以(Y,Eu)1VO4正釩酸鹽為基質 的稀土元素熒光粉(請參照Handbook?of?Phosphors Press?NY,1999)被發現,紅光熒光粉開始成批量生產 制造。這種熒光粉的近紫外激發波長為λ=365nm, 由于質量好,效能高,這種熒光粉得到廣泛的使用。
接著出現了Y2O3:Eu或者Gd2O3:Eu類型的氧化 物熒光粉,其紫外激發波長為λ=254nm。由于該熒 光粉的穩定性和效能都非常高,所以至今都被廣泛 地應用在效能為η=50流明/瓦的光源上。后來發明 了硫氧化物熒光粉,總方程式為(∑Ln)2O2S,其中 ∑Ln=Y,La,Gd,Eu,Tb,Sm。在它的基礎上產生了新型 的陰極熒光粉,X-光熒光粉,及激光熒光粉(請參照 N.P.Soschin,等人的俄羅斯專利第1603763號, 01.12.1988)。盡管得到廣泛的應用,但這種以釔-鑭- 釓-銪硫化物為基礎的紅光熒光粉有一個實質性的 缺陷:波長為λ=616,626和708nm的紅光只有在 波長為λ=365~405nm的近紫外光次能帶上才能被激 發發光。所以這種熒光粉只可以用在λ=395nm的半 導體光源上,不適合用藍光半導體異質結激發。這 種以(Y,Eu)2O2S為基礎的熒光粉,其缺點在俄羅斯 專利第2064482號中已有描述(請參照N.P.Soschin, 等人的俄羅斯專利第2064482號,18.04.1991)。
后來人們試圖制造被藍色異質結激發,發紅光 的熒光粉。在一系列的關于新型氮化物熒光粉 CaSiAlN3:Ce的文章(請參照Hanz?Luo?Jiang?et?and Materials?Science?and?Engineering?MSB?115118)中詳 細地記述了這些實驗。但是CaSiAlN3:Ce這種材料 在生產中很復雜,因為它的光輸出量低,價格又非 常昂貴。
本案的發明人曾采用了不久前發表的專利(請 參照N.P.Soschin.大功率白光半導體)中所述的 Sr5Al2O8:Eu+3熒光粉作為樣本,但是,其發明人在 講述熒光粉的合成時,既沒有正確地給出熒光粉的 成分,又沒有明確指出主要的激活劑Eu+3可實現的 氧化態。另外,其發明人也沒有指明化合物的晶格 類型以及SrO、Al2O3兩者的濃度比值范圍,誠屬美 中不足之處。
【發明內容】
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