[發(fā)明專利]太陽(yáng)能電池及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810147283.7 | 申請(qǐng)日: | 2008-08-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101661968A | 公開(公告)日: | 2010-03-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林宏欽;張家誠(chéng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 先進(jìn)開發(fā)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/052 | 分類號(hào): | H01L31/052;H01L31/18 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 潘培坤 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽(yáng)能電池 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池及其制造方法,且特別涉及一種具有聚 光效果的太陽(yáng)能電池及其制造方法。
背景技術(shù)
近年來(lái),由于二氧化碳的排放所造成的溫室效應(yīng)以及石油價(jià)格的高漲, 使得再生能源漸漸受到重視。目前,再生能源的現(xiàn)有技術(shù)包括:太陽(yáng)能、風(fēng) 能、地?zé)崮堋⑺δ堋⒊毕堋⒑Q鬅崮苻D(zhuǎn)換及生質(zhì)能等,其中又以太陽(yáng)能 的技術(shù)應(yīng)用最為廣泛。
目前市面上的太陽(yáng)能電池種類繁多,其中一種為硅太陽(yáng)能電池,其是于 20世紀(jì)70年代,由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室首先研制出而逐步發(fā)展起來(lái),這種硅太 陽(yáng)能電池的工作原理是基于半導(dǎo)體的光幅效應(yīng)。另一種常見(jiàn)的太陽(yáng)能電池則 為染料敏化太陽(yáng)能電池(Dye?sensitized?solar?cell),其是于20世紀(jì)90年代, 由瑞士科學(xué)家Gratzel開發(fā)出,其工作原理是當(dāng)染料分子吸收太陽(yáng)光時(shí),其 電子躍遷至激發(fā)態(tài)并迅速轉(zhuǎn)移至氧化鈦層,而空穴則留在染料中。之后,電 子擴(kuò)散至導(dǎo)電薄膜上,再經(jīng)外電路轉(zhuǎn)移至相對(duì)側(cè)的電極。接著,氧化態(tài)的染 料被電解質(zhì)還原,而被氧化的電解質(zhì)從電極處接收電子而還原成基態(tài),進(jìn)而 完成電子的整個(gè)傳輸過(guò)程。
請(qǐng)參閱圖1,圖1所繪示為一種公知的太陽(yáng)能電池,此太陽(yáng)能電池100 包括一芯片110與一基板120,其中芯片110封裝在基板120上,此芯片110 可將光能轉(zhuǎn)換為電能。然而,在目前,不管是硅太陽(yáng)能電池或染料敏化太陽(yáng) 能電池,其光轉(zhuǎn)換效率都不高;因此,往往需要將芯片110的面積加大,以 增加光的吸收面積。此外,在太陽(yáng)光中屬于紅外線波段的光線容易將熱量累 積于基板120上,進(jìn)而造成芯片110的毀損。
因此,如何使芯片110在相同面積下吸收更多的光能,以及避免熱量累 積于基板120上,已成為本領(lǐng)域的技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種太陽(yáng)能電池及其制造方法,該太陽(yáng)能電池能使 其芯片在不擴(kuò)大面積的情況下,吸收更多的光能。
根據(jù)上述目的與其它目的,本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池,此太陽(yáng)能電池 包括一基板、一芯片、一凸透鏡結(jié)構(gòu)與一紅外線濾光片,其中基板具有一凹 槽,而芯片設(shè)置在基板的凹槽上,此芯片可將光能轉(zhuǎn)換成電能。另外,凸透 鏡結(jié)構(gòu)設(shè)置在凹槽的上方,紅外線濾光片貼附在凸透鏡結(jié)構(gòu)的入光面。
在上述的太陽(yáng)能電池中,凸透鏡結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為硅樹脂。
在上述的太陽(yáng)能電池中,凸透鏡結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為玻璃。
在上述的太陽(yáng)能電池中,凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦點(diǎn)落在芯片上。
在上述的太陽(yáng)能電池中,還包括一填充物,該填充物填充該凹槽并覆蓋 該芯片。
在上述的太陽(yáng)能電池中,填充物的材質(zhì)為硅樹脂。
根據(jù)上述目的與其它目的,本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池的制造方法,其 包括以下所述的步驟:首先,提供一基板,此基板具有一凹槽;接著,將一 芯片設(shè)置在基板的凹槽上;然后,在凹槽的上方設(shè)置一凸透鏡結(jié)構(gòu);之后, 在凸透鏡結(jié)構(gòu)的入光面上貼附一紅外線濾光片。
在上述的太陽(yáng)能電池的制造方法中,凸透鏡結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為玻璃且通過(guò)黏 附的方式設(shè)置在該填充物上。
在上述的太陽(yáng)能電池的制造方法中,在芯片設(shè)置于基板的凹槽上后,且 在凸透鏡結(jié)構(gòu)設(shè)置于凹槽的上方前,還包括以下的步驟:在凹槽上填充一填 充物,使該填充物覆蓋芯片,此填充物的材質(zhì)為硅樹脂。而且,凸透鏡結(jié)構(gòu) 通過(guò)射出成形的方式形成在該填充物上。
由于芯片的上方設(shè)置有凸透鏡結(jié)構(gòu),此凸透鏡結(jié)構(gòu)具有聚光的功能,故 能將入射的太陽(yáng)光聚集在芯片上。因此,芯片能以較小的面積吸收較大量的 光線。而且,由于凸透鏡結(jié)構(gòu)的入光面貼附有紅外線濾光片,此紅外線濾光 片可過(guò)濾太陽(yáng)光中屬于紅外線波段的光線,故在基板上較不易累積熱量,可 使芯片有較長(zhǎng)的壽命。
為了使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)更能明顯易懂,下文將以實(shí)施例 并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。
附圖說(shuō)明
圖1所繪示為一種公知的太陽(yáng)能電池;
圖2所繪示為本發(fā)明的太陽(yáng)能電池的實(shí)施例;以及
圖3A至圖3E所繪示為太陽(yáng)能電池的制造流程。
其中,附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
100:太陽(yáng)能電池????110:芯片????????120:基板
200:太陽(yáng)能電池????200’:半成形的太陽(yáng)能電池
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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