[發明專利]SSOI基板的制造方法

有效

• 申請號: 200810147132.1
• 申請日: 2008-08-20
• 公開（公告）號: CN101373710A
• 公開（公告）日: 2009-02-25
• 發明（設計）人: 金寅謙;姜錫俊;陸炯相
• 申請（專利權）人: 希特隆股份有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/265;H01L21/762;H01L21/84
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司
• 代理人: 周艷玲;羅正云

1.一種具有變形硅層的基板的制造方法，其包括：

提供基板；

在上述基板的表面上形成SiGe層；

在上述SiGe層的表面上生成具有比SiGe更小晶格常數的Si而形成變形的硅層；和

通過上述變形的硅層向所述SiGe層中注入離子；

其中在上述SiGe層的生成過程中摻加不純物，達到注入的上述離子的深度處，

其中上述不純物包括硼(B)、磷(P)和砷(As)中的一個元素，并且

其中上述離子包括氫離子。

2.如權利要求1所述的具有變形硅層的基板的制造方法，其中上述不純物使用B₂H₆、PH₃和AsH₃中至少一個氣體。

3.如權利要求2所述的具有變形硅層的基板的制造方法，其中上述不純物的濃度在1e15至1e20cm^-3的范圍內。

4.如權利要求2所述的具有變形硅層的基板的制造方法，其中上述不純物以10至300sccm的流量被供應。

5.如權利要求2所述的具有變形硅層的基板的制造方法，其中上述不純物在1至760托的壓力下被摻加。

6.如權利要求2所述的具有變形硅層的基板的制造方法，其中上述不純物在100至1200℃的溫度內被摻加。

7.如權利要求1所述的具有變形硅層的基板的制造方法，其中上述離子包括氫離子H⁺或H₂⁺，上述氫離子的濃度在10¹⁵至10¹⁷cm^-2的范圍內。

8.如權利要求1所述的具有變形硅層的基板的制造方法，其中上述SiGe層包括：

等級層，上述等級層的鍺的濃度隨著層的上升而增加；和?

均勻層，上述等級層的表面上鍺的濃度保持一致，且不純物層形成在上述均勻層內。

9.如權利要求8所述的具有變形硅層的基板的制造方法，其中在上述均勻層內包括的上述鍺的濃度在10至100％的范圍內。

10.如權利要求8所述的具有變形硅層的基板的制造方法，其中上述均勻層的厚度在0.1至5μm的范圍內。

11.如權利要求8所述的具有變形硅層的基板的制造方法，其中上述均勻層是原位形成的。

12.如權利要求1所述的具有變形硅層的基板的制造方法，其中上述SiGe層和變形硅層是通過取向附生而形成的。

13.一種SSOI基板的制造方法，其包括：

提供第1基板；

在上述第1基板的表面上生成SiGe而形成SiGe層；

在上述SiGe層表面上生成具有比上述SiGe更小晶格常數的Si而形成變形的硅層；

從上述變形的硅層表面向上述SiGe層注入離子；

提供具有氧化膜的第2基板；

接合上述第1基板和上述第2基板而形成接合基板，其中上述變形的硅層和上述氧化膜互相面對；

通過對上述接合基板熱處理，以上述離子注入的部分為中心分離上述接合基板；和

通過上述SiGe層的去除，完成包括上述變形的硅層、上述氧化膜和上述第2基板的SSOI基板；

其中，在形成所述SiGe層之后且在形成所述變形的硅層之前，將不純物摻加到上述SiGe層的離子注入的深度，

其中上述不純物包括硼(B)、磷(P)和砷(As)中的一個元素，并且

其中上述離子包括氫離子。?

14.如權利要求13所述的上述SSOI基板的制造方法，其中進一步包括，在形成上述變形的硅層之前實行用來上述SiGe層表面的平坦化的CMP工程。

15.如權利要求13所述的上述SSOI基板的制造方法，其中形成上述接合基板進一步包括，在接合之前將上述第1基板和第2基板洗凈和弄干。