[發(fā)明專利]供太陽能電池用的半導體基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810147016.X
• 申請日: 2008-08-12
• 公開（公告）號: CN101651154A
• 公開（公告）日: 2010-02-17
• 發(fā)明（設計）人: 陳敏璋;徐文慶;何思樺
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山中辰硅晶有限公司
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L31/18
• 代理公司: 北京天平專利商標代理有限公司
• 代理人: 孫 剛

1.一種供一太陽能電池(solar?cell)用的半導體基板(semiconductor?substrate)，該半導體基板包含：

一基板(substrate)，該基板具有一上表面；以及

一表面鈍化層(surface?passivation?layer)，該表面鈍化層由一原子層沉積(atomic?layer?deposition，ALD)制程，一層層的形成于該基板的該上表面上，其中在一個原子層沉積的周期內(nèi)的反應步驟包含：

(1.)利用載送氣體將一先驅(qū)物(precursor)分子導入反應腔體，在基材表面形成單一層先驅(qū)物基；

(2.)通入載送氣體將多余未吸附于基材的先驅(qū)物分子抽走；

(3.)利用載送氣體將另一前驅(qū)物(precursor)分子導入反應腔體中，與原本吸附在基材表面的單一層先驅(qū)物基，在基材上反應形成單一原子層的薄膜；

(4.)通入載送氣體，帶走多余的先驅(qū)物分子以及反應產(chǎn)生的副產(chǎn)物。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體基板，其特征在于，該表面鈍化層由Al₂O₃、AlN、HfO₂、Hf₃N₄、Si₃N₄、SiO₂、Ta₂O₅、TiO₂、TiN、ZnO、ZrO₂及Zr₃N₄中的其中一種制成。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體基板，其特征在于，該表面鈍化層的沉積是在一介于室溫至600℃之間的制程溫度下執(zhí)行。

4.如權(quán)利要求3所述的半導體基板，其特征在于，該表面鈍化層是在一介于100℃至600℃之間的退火溫度下執(zhí)行退火。

5.如權(quán)利要求1所述的半導體基板，其特征在于，該基板的厚度等于或小于300μm。

6.如權(quán)利要求5所述的半導體基板，其特征在于，該基板由硅制成。

7.一種制造供一太陽能電池(solar?cell)用的半導體基板(semiconductor?substrate)的方法，該方法包含下列步驟：

制備一基板(substrate)，該基板具有一上表面；以及

通過一原子層沉積(atomic?layer?deposition，ALD)制程，在該基板的該上表面上一層層的形成一表面鈍化層(surface?passivation?layer)，其中在一個原子層沉積的周期內(nèi)的反應步驟包含：

(1.)利用載送氣體將一先驅(qū)物(precursor)分子導入反應腔體，在基材表面形成單一層先驅(qū)物基；

(2.)通入載送氣體將多余未吸附于基材的先驅(qū)物分子抽走；

(3.)利用載送氣體將另一前驅(qū)物(precursor)分子導入反應腔體中，與原本吸附在基材表面的單一層先驅(qū)物基，在基材上反應形成單一原子層的薄膜；

(4.)通入載送氣體，帶走多余的先驅(qū)物分子以及反應產(chǎn)生的副產(chǎn)物。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，該表面鈍化層由Al₂O₃、AlN、HfO₂、Hf₃N₄、Si₃N₄、SiO₂、Ta₂O₅、TiO₂、TiN、ZnO、ZrO₂及Zr₃N₄中的其中一種制成。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，該表面鈍化層的沉積是在一介于室溫至600℃之間的制程溫度下執(zhí)行。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該表面鈍化層是在一介于100℃至600℃之間的退火溫度下執(zhí)行退火。

11.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，該基板的厚度等于或小于300μm。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，該基板由硅制成。