[發(fā)明專利]半導體用氮化物襯底及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810146331.0 | 申請日： | 2004-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN101339926A | 公開（公告）日： | 2009-01-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 松本直樹 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00;H01L33/00;H01L21/306;H01L21/304;H01L21/02;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 陳長會 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體 氮化物 襯底 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種氮化物半導體襯底，其特征在于，
襯底的表面或背面通過蝕刻被控制成翹曲是+30μm到-20μm。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導體襯底，其特征在于，
襯底表面被干式蝕刻處理，
襯底背面被濕式蝕刻處理或干式蝕刻處理。
3.如權(quán)利要求2所述的氮化物半導體襯底，其特征在于，
襯底表面使用鹵素氣體進行干式蝕刻處理，
襯底背面使用KOH或H3PO4進行濕式蝕刻處理、或者使用鹵素氣體進行干式蝕刻處理。
4.一種氮化物半導體襯底的制備方法，其特征在于，
通過對襯底的表面或背面進行蝕刻，將襯底翹曲控制在+30μm到-20μm。
5.如權(quán)利要求4所述的氮化物半導體襯底的制備方法，其特征在于，
所述蝕刻在襯底表面是干式蝕刻，在襯底背面是濕式蝕刻或干式蝕刻。
6.如權(quán)利要求5所述的氮化物半導體襯底的制備方法，其特征在于，
所述干式蝕刻是使用鹵素氣體的方法。
7.如權(quán)利要求5所述的氮化物半導體襯底的制備方法，其特征在于，
所述濕式蝕刻是使用KOH或H3PO4的方法。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于住友電氣工業(yè)株式會社，未經(jīng)住友電氣工業(yè)株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810146331.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種終端裝置及其手寫筆式天線
- 下一篇：光纖電流傳感器的傳感頭
