[發明專利]電子裝置、薄膜晶體管、顯示裝置及導體接觸工藝

無效

• 申請號: 200810146110.3
• 申請日: 2008-08-06
• 公開（公告）號: CN101645456A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發明（設計）人: 王程麒;林志展;石世民
• 申請（專利權）人: 奇美電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/49
• 分類號: H01L29/49;H01L29/43;H01L29/786;H01L23/532
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張 波

1.一種電子裝置，至少具有配置于一襯底上的一導體圖案，該導體圖案包括：

一實質純鋁層，配置在該襯底上；以及

一鋁鎳鑭合金層，配置在該實質純鋁層上。

2.如權利要求1的電子裝置，更包括一氧化物導電層，配置在該鋁鎳鑭合金層上，且該氧化物導電層與該鋁鎳鑭合金層直接接觸。

3.如權利要求1的電子裝置，更包括一導電層，配置在該實質純鋁層之下，以使該實質純鋁層夾在該導電層以及該鋁鎳鑭合金層之間。

4.如權利要求3的電子裝置，其中該導電層的材質包括氮化鉬或鉬。

5.如權利要求1的電子裝置，其中該實質純鋁層的厚度與該鋁鎳鑭合金層的厚度之間的比例為10∶1。

6.如權利要求1的電子裝置，其中該鋁鎳鑭合金層的厚度為

7.一種薄膜晶體管，適于配置于一基板上，該薄膜晶體管包括：

一柵極，配置在該基板上，該柵極包括一第一實質純鋁層以及一第一鋁鎳鑭合金層，且該第一實質純鋁層位于該第一鋁鎳鑭合金層以及該基板之間；

一柵絕緣層，配置在該基板上并覆蓋該柵極；

一半導體層，配置在該柵極上方的該柵絕緣層上；

一源極與一漏極，配置在該半導體層上，該源極與該漏極分別對應于該柵極的兩側。

8.如權利要求7的薄膜晶體管，其中該源極與該漏極由一導電層、一第二實質純鋁層以及一第二鋁鎳鑭合金層依序迭置所組成，且該導電層與該半導體層接觸。

9.如權利要求7的薄膜晶體管，其中該第一實質純鋁層的厚度與該第一鋁鎳鑭合金層的厚度之間的比例為10∶1。

10.一種薄膜晶體管，適于配置于一基板上，該薄膜晶體管包括：

一柵極，配置在該基板上；

一柵絕緣層，配置在該基板上并覆蓋該柵極；

一半導體層，配置在該柵極上方的該柵絕緣層上；以及

一源極與一漏極，配置在該半導體層上，該源極與該漏極分別對應在該柵極的兩側，該源極與該漏極由一導電層、一實質純鋁層以及一鋁鎳鑭合金層依序迭置所組成，且該導電層與該半導體層接觸。

11.如權利要求10的薄膜晶體管，其中該實質純鋁層的厚度與該鋁鎳鑭合金層的厚度之間的比例為10∶1。