[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810144368.X
• 申請(qǐng)日: 2008-07-28
• 公開（公告）號(hào): CN101355037A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山崎舜平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/84;H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 何欣亭;劉宗杰

1.一種顯示裝置的制造方法，包括如下步驟：

在襯底上形成柵電極；

在所述柵電極上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成第一半導(dǎo)體膜；

將第一雜質(zhì)添加到所述第一半導(dǎo)體膜中，該第一雜質(zhì)賦予第一 導(dǎo)電類型或第二導(dǎo)電類型；

在將所述第一雜質(zhì)添加到所述第一半導(dǎo)體膜中之后，用激光照 射所述第一半導(dǎo)體膜；

在用激光照射所述第一半導(dǎo)體膜之后，在所述第一半導(dǎo)體膜上 形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成第二半導(dǎo)體膜，該第二半導(dǎo)體膜包含賦予 所述第一導(dǎo)電類型的第二雜質(zhì)；以及

在所述第二半導(dǎo)體膜上形成源電極及漏電極，

其中，所述第一半導(dǎo)體膜是微晶半導(dǎo)體膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，所述第 一導(dǎo)電類型是n型，而所述第二導(dǎo)電類型是p型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，所述緩 沖層是非晶半導(dǎo)體膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置的制造方法，其中，所述緩 沖層包含氮或氫。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置的制造方法，其中，所述緩 沖層包含氟、氯、溴或碘。

6.一種顯示裝置的制造方法，包括如下步驟：

在襯底上形成柵電極；

在所述柵電極上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成第一半導(dǎo)體膜，該第一半導(dǎo)體膜包含賦予 第一導(dǎo)電類型或第二導(dǎo)電類型的第一雜質(zhì)；

在形成所述第一半導(dǎo)體膜之后，用激光照射所述第一半導(dǎo)體 膜；

在用激光照射所述第一半導(dǎo)體膜之后，在所述第一半導(dǎo)體膜上 形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成第二半導(dǎo)體膜，該第二半導(dǎo)體膜包含賦予 所述第一導(dǎo)電類型的第二雜質(zhì)；以及

在所述第二半導(dǎo)體膜上形成源電極及漏電極，

其中，所述第一半導(dǎo)體膜是微晶半導(dǎo)體膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置的制造方法，其中，所述第 一導(dǎo)電類型是n型，而所述第二導(dǎo)電類型是p型。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置的制造方法，其中，所述緩 沖層是非晶半導(dǎo)體膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置的制造方法，其中，所述緩 沖層包含氮或氫。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置的制造方法，其中，所述緩 沖層包含氟、氯、溴或碘。