[發(fā)明專(zhuān)利]Ⅲ族氮化物基板的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810144145.3 | 申請(qǐng)日: | 2005-12-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101335205A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-12-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 松本直樹(shù) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/304 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/304;B28D5/04;B28D1/06;B24B27/06 |
| 代理公司: | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 李香蘭 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氮化物 制造 方法 | ||
1.一種氮化鎵基板,其通過(guò)切斷由六方晶系的氮化鎵結(jié)晶構(gòu)成的結(jié)晶塊制造而成,其中,具有如下的切斷所述結(jié)晶塊的工序:一邊以所述結(jié)晶塊和金屬線(xiàn)列相接觸的方式傳送所述結(jié)晶塊以及所述金屬線(xiàn)列中的至少一方,一邊供給研磨液,同時(shí)切斷所述結(jié)晶塊,在切斷所述結(jié)晶塊時(shí),使所述金屬線(xiàn)列所含的金屬線(xiàn)的延長(zhǎng)方向相對(duì)于所述結(jié)晶塊的{1-100}面傾斜3°以上,
基板的翹曲為50μm以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基板,其中,
加工變質(zhì)層深度為6μm以下。
3.一種第三族氮化物基板,是通過(guò)使用金屬線(xiàn)列切斷由六方晶系的第三族氮化物結(jié)晶構(gòu)成的結(jié)晶塊來(lái)制造第三族氮化物基板的方法制造而成,其中,制造所述第三族氮化物基板的方法具有如下的切斷所述結(jié)晶塊的工序:一邊以所述結(jié)晶塊和所述金屬線(xiàn)列相接觸的方式傳送所述結(jié)晶塊以及所述金屬線(xiàn)列中的至少一方,一邊供給研磨液,同時(shí)切斷所述結(jié)晶塊,
在切斷所述結(jié)晶塊時(shí),使所述金屬線(xiàn)列所含的金屬線(xiàn)的延長(zhǎng)方向相對(duì)于所述結(jié)晶塊的{1-100}面傾斜3°以上。
4.一種第三族氮化物基板的制造方法,其通過(guò)使用金屬線(xiàn)列切斷由六方晶系的第三族氮化物結(jié)晶構(gòu)成的結(jié)晶塊來(lái)制造第三族氮化物基板,
其中,具有如下的切斷所述結(jié)晶塊的工序:一邊以所述結(jié)晶塊和所述金屬線(xiàn)列相接觸的方式傳送所述結(jié)晶塊以及所述金屬線(xiàn)列中的至少一方,一邊供給研磨液,同時(shí)切斷所述結(jié)晶塊,
在切斷所述結(jié)晶塊時(shí),使所述金屬線(xiàn)列所含的金屬線(xiàn)的延長(zhǎng)方向相對(duì)于所述結(jié)晶塊的{1-100}面傾斜3°以上,通過(guò)將結(jié)晶塊相對(duì)于所述金屬線(xiàn)列自下方開(kāi)始傳送的上切法、或?qū)⒔Y(jié)晶塊相對(duì)于所述金屬線(xiàn)列自上方開(kāi)始傳送的下切法來(lái)進(jìn)行切斷。
5.一種第三族氮化物基板的制造方法,其通過(guò)使用金屬線(xiàn)列切斷由六方晶系的第三族氮化物結(jié)晶構(gòu)成的結(jié)晶塊來(lái)制造第三族氮化物基板,
其中,具有如下的切斷所述結(jié)晶塊的工序:一邊以所述結(jié)晶塊和所述金屬線(xiàn)列相接觸的方式傳送所述結(jié)晶塊以及所述金屬線(xiàn)列中的至少一方,一邊供給研磨液,同時(shí)切斷所述結(jié)晶塊,
在切斷所述結(jié)晶塊時(shí),以能夠?qū)⑺鼋饘倬€(xiàn)列所含的金屬線(xiàn)的延長(zhǎng)方向相對(duì)于所述結(jié)晶塊的{11-20}面維持3°以上的角度范圍來(lái)?yè)u動(dòng)結(jié)晶塊或?qū)л仭?/p>
6.一種第三族氮化物基板的制造方法,其通過(guò)使用金屬線(xiàn)列切斷由六方晶系的第三族氮化物結(jié)晶構(gòu)成的結(jié)晶塊來(lái)制造第三族氮化物基板,
其中,具有如下的切斷所述結(jié)晶塊的工序:一邊以所述結(jié)晶塊和所述金屬線(xiàn)列相接觸的方式傳送所述結(jié)晶塊以及所述金屬線(xiàn)列中的至少一方,一邊供給研磨液,同時(shí)切斷所述結(jié)晶塊,
在切斷所述結(jié)晶塊時(shí),使所述金屬線(xiàn)列所含的金屬線(xiàn)的延長(zhǎng)方向相對(duì)于所述結(jié)晶塊的{1-100}面傾斜3°以上,并將所述金屬線(xiàn)的負(fù)載張力設(shè)定為12N以上30N以下來(lái)進(jìn)行切斷。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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