[發明專利]液晶顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200810144034.2
• 申請日: 2008-07-25
• 公開（公告）號: CN101354513A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發明（設計）人: 青田雅明;石田聰
• 申請（專利權）人: 愛普生映像元器件有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 陳海紅;段承恩

1.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成具有漏電極的開關元件的步驟；

形成覆蓋上述漏電極的第1絕緣膜的步驟；

在上述第1絕緣膜中形成使上述漏電極露出的開口部的步驟；

覆蓋上述開口部、形成與上述漏電極連接的第1蝕刻阻擋電極，同時在上述第1絕緣膜上形成共用電極的步驟；

覆蓋上述第1蝕刻阻擋電極和上述共用電極，形成第2絕緣膜的步驟；

第1蝕刻步驟，其中，有選擇地對上述第1蝕刻阻擋電極上的上述第2絕緣膜進行蝕刻；

第2蝕刻步驟，其中，在上述第1蝕刻步驟之后，通過蝕刻來去除上述第1蝕刻阻擋電極上的殘留物；以及

在上述第2蝕刻步驟之后，形成像素電極的步驟，該像素電極與上述第1蝕刻阻擋電極連接，在上述第2絕緣膜上延伸，與上述共用電極對向。

2.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于：

與上述開關元件的漏電極同時地，形成外部連接用的下層電極；

與上述第1蝕刻阻擋電極同時地，形成與上述下層電極連接的第2蝕刻阻擋電極；

通過上述第2絕緣膜，覆蓋上述第2蝕刻阻擋電極；

通過上述第1蝕刻步驟，有選擇地蝕刻第2蝕刻阻擋電極上的上述第2絕緣膜；

通過上述第2蝕刻步驟，以蝕刻方式來去除上述第2蝕刻阻擋電極上的殘留物；

在上述第2蝕刻步驟后，與上述像素電極的形成同時地，在上述第2蝕刻阻擋電極上，形成外部連接用的上層電極。

3.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成開關元件和共用電極線的步驟；

形成上述開關元件的漏電極和上述共用電極線的引出線的步驟；

形成覆蓋上述漏電極和上述引出線的第1絕緣膜的步驟；

在上述第1絕緣膜中形成使上述漏電極露出的第1開口部和使上述引出線露出的第2開口部的步驟；

形成通過上述第2開口部與上述引出線連接的第1蝕刻阻擋電極，同時在上述第1絕緣膜上形成像素電極的步驟；

覆蓋上述第1蝕刻阻擋電極和上述像素電極，形成第2絕緣膜的步驟；

第1蝕刻步驟，其中，有選擇地蝕刻上述第1蝕刻阻擋電極上的上述第2絕緣膜；

第2蝕刻步驟，其中，在上述第1蝕刻步驟后，通過蝕刻而去除上述第1蝕刻阻擋電極上的殘留物；以及

在上述第2蝕刻步驟之后，形成共用電極的步驟，該共用電極與上述第1蝕刻阻擋電極連接，在上述第2絕緣膜上延伸，與上述像素電極對向。

4.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成開關元件的步驟；

形成上述開關元件的漏電極和共用電極線的步驟；

形成覆蓋上述漏電極和上述共用電極線的第1絕緣膜的步驟；

在上述第1絕緣膜中形成使上述漏電極露出的第1開口部和使上述共用電極線露出的第2開口部的步驟；

形成通過上述第2開口部與上述共用電極線連接的第1蝕刻阻擋電極，同時在上述第1絕緣膜上形成像素電極的步驟；

覆蓋上述第1蝕刻阻擋電極和上述像素電極，形成第2絕緣膜的步驟；

第1蝕刻步驟，其中，有選擇地蝕刻上述第1蝕刻阻擋電極上的上述第2絕緣膜；

第2蝕刻步驟，其中，在上述第1蝕刻步驟后，通過蝕刻而去除上述第1蝕刻阻擋電極上的殘留物；以及

在上述第2蝕刻步驟之后，形成共用電極的步驟，該共用電極與上述第1蝕刻阻擋電極連接，在上述第2絕緣膜上延伸，與上述像素電極對向。

5.根據權利要求3或4所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于：

與上述漏電極同時地，形成外部連接用的下層電極；

與上述第1蝕刻阻擋電極同時地，形成與上述下層電極連接的第2蝕刻阻擋電極；

通過上述第2絕緣膜覆蓋上述第2蝕刻阻擋電極；

通過上述第1蝕刻步驟，有選擇地蝕刻第2蝕刻阻擋電極上的上述第2絕緣膜；

通過上述第2蝕刻步驟，以蝕刻方式去除上述第2蝕刻阻擋電極上的殘留物；

在上述第2蝕刻步驟之后，與上述共用電極的形成同時地，在上述第2蝕刻阻擋電極上形成外部連接用的上層電極。

6.根據權利要求1～4中的任意一項所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于：上述第1蝕刻步驟為干式蝕刻步驟，上述第2蝕刻步驟為濕式蝕刻步驟。